[发明专利]集成电路缺陷检测方法

权利要求书

1.一种集成电路缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将不同层的集成电路芯片设计网表按照不同区域对芯片功能重要性程度进行检测区域的划分，划分为重要区域、非重要区域和非检测区域；

S2：将不同检测区域添加用于辨别区域的标记；

S3：在晶圆的制造过程中，将集成电路芯片设计网表上的标记通过制造工艺转移到晶圆上，并在自动光学检测设备上对不同检测区域编制对应的自动扫描程序；

S4：自动光学检测设备根据检测区域的标记调用该检测区域所对应的自动扫描程序来进行扫描检测，并在晶圆缺陷检测完毕后，将缺陷检测结果上传至缺陷检测系统，针对不同区域缺陷选择性取样;

S5：通过缺陷检测系统将取样位置传送至扫描电子显微镜或电子显微镜进行拍照，并将拍摄的图像结果反馈至缺陷检测系统进行综合分析。

2.根据权利要求1所述的集成电路缺陷检测方法 ，其特征在于： 所述步骤2中，至少在每个检测区域的对角处添加标记。

3.根据权利要求1所述的集成电路缺陷检测方法 ，其特征在于：所述步骤2中，在每个检测区域的四周均添加标记。

4.根据权利要求3所述的集成电路缺陷检测方法 ，其特征在于：所述 S3中，将集成电路芯片设计网表上的标记通过光刻或刻蚀工艺转移到晶圆上。

5.根据权利要求1至4任一所述的集成电路缺陷检测方法 ，其特征在于：所述S4中，所述缺陷检测系统包含有检测区域划分、缺陷大小、缺陷位置、缺陷数量和缺陷分布信息，根据不同检测区域的缺陷分布和缺陷数量选择性取样。

6.根据权利要求5所述的集成电路缺陷检测方法 ，其特征在于：所述S5中，所述缺陷检测系统结合检测区域、缺陷位置、缺陷图片和缺陷类型信息确定缺陷来源以及对集成电路芯片良率的影响。