[发明专利]一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法

权利要求书

1.一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于，根据光刻图形制作耐酸碱且不透明的分隔构件，所述分隔构件包括罩板，所述罩板具有遮蔽区和镂空区，镂空区周缘垂直向下延伸形成隔板；所述光刻方法包括以下步骤：

1)于半导体基片表面涂覆光刻胶；

2)将分隔构件放置于光刻胶表面，向下按压至隔板嵌入光刻胶中，使光刻胶对应遮蔽区和对应镂空区的部分互相独立，然后对光刻胶进行软烘；

3)将步骤2)的结构置于曝光机中，进行曝光；

4)进行显影工艺，去除镂空区对应的光刻胶得到蚀刻窗口；

5)移除分隔构件；

6)对蚀刻窗口内的半导体基片进行蚀刻，蚀刻完成后，剥离光刻胶。

2.根据权利要求1所述的制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于：所述光刻胶是正性光刻胶，采用旋涂工艺涂覆于所述半导体基板表面；所述隔板的高度大于所述光刻胶厚度。

3.根据权利要求1所述的制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于：所述步骤2)中，采用机械吸板将所述分隔构件放置于所述光刻胶表面，采用机械压板按压所述分隔构件2～10s。

4.根据权利要求1所述的制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于：所述步骤2)中，软烘是在80-110℃下烘烤80-150s，随后在20-30℃下冷烤3-8min。

5.根据权利要求1所述的制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于：所述步骤3)中，所述曝光的功率密度为200-1000J/cm²，曝光时间40-100s。

6.根据权利要求1所述的制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于：所述隔板的厚度范围为1-100μm，所述镂空区的最小尺寸为1μm。

7.根据权利要求1所述的制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于：所述罩板具有多个镂空区，相邻镂空区的最小间隔至少1μm。

8.根据权利要求1所述的制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，其特征在于：所述分隔构件的材料选自铂合金、钛合金、聚酰亚胺，聚苯硫醚，聚醚醚酮。