[发明专利]一种全桥输出结构的电源反接保护电路在审
| 申请号： | 202210514037.0 | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN115133500A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海鑫雁微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/125 | 分类号： | H02H7/125 |
| 代理公司： | 安徽宏铎知识产权代理事务所(普通合伙) 34250 | 代理人： | 马林红 |
| 地址： | 201100 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 输出 结构 电源 反接 保护 电路 | ||
1.一种全桥输出结构的电源反接保护电路，其特征在于，包括NMOS管MN31、NMOS管MN32、电感器、以及NMOS管MN35，所述NMOS管MN32一侧设有NMOS管MN34，所述NMOS管MN34一侧接地，所述NMOS管MN32一侧设有电源VCC，所述电源VCC一侧设有NMOS管MN31，所述NMOS管MN31一侧设有NMOS管MN33，所述NMOS管MN33一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种全桥输出结构的电源反接保护电路，其特征在于，所述电感器一端安装在NMOS管MN32与NMOS管MN34之间，所述电感器远离安装在NMOS管MN32与NMOS管MN34之间的一端安装在NMOS管MN31与NMOS管MN33之间，所述电感器一侧设有寄生二极管D31，所述寄生二极管D31一端安装在NMOS管MN31与NMOS管MN32之间，所述电感器远离设有寄生二极管D31的一侧设有寄生二极管D32，所述寄生二极管D32一端安装在NMOS管MN31与NMOS管MN32之间，所述NMOS管MN34与NMOS管MN33之间连接，所述NMOS管MN34与NMOS管MN33之间设有寄生二极管D34，所述寄生二极管D34一端安装在电感器一侧，所述寄生二极管D34一侧设有寄生二极管D36，所述寄生二极管D36一端接地，所述寄生二极管D34一侧设有寄生二极管D33，所述寄生二极管D33安装在电感器一侧，所述寄生二极管D33一侧设有寄生二极管D35，所述寄生二极管D35一端接地。
3.根据权利要求2所述的一种全桥输出结构的电源反接保护电路，其特征在于，所述NMOS管MN35一端安装在NMOS管MN31与NMOS管MN32之间，所述NMOS管MN35的一端接地，所述NMOS管MN35一侧安装在NMOS管MN34与NMOS管MN33之间，所述NMOS管MN35安装在NMOS管MN34与NMOS管MN33之间的线路上设有寄生二极管D37，所述寄生二极管D37一端接地。
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