[发明专利]一种拼接屏及其制备方法

权利要求书

1.一种拼接屏的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一初始显示模组，所述初始显示模组定义有显示区以及围绕所述显示区的非显示区，所述初始显示模组包括薄膜晶体管阵列层以及发光层，所述发光层设置于所述薄膜晶体管阵列层上；其中，所述薄膜晶体管阵列层包括从所述显示区延伸至所述非显示区的金属信号线；

S2、对位于所述非显示区的信号走线进行挖空处理，使得位于所述非显示区的信号走线形成有挖空部，以获得过渡显示模组；

S3、在所述过渡显示模组上预设一切割轨迹，所述切割轨迹位于所述挖空部中心线处，或者所述切割轨迹位于所述挖空部中心线的外侧；以及

S4、沿着所述切割轨迹对所述过渡显示模组进行切割，获得目标显示模组。

2.根据权利要求1所述的拼接屏的制备方法，其特征在于，

在步骤S2中，所述挖空部的宽度为位于所述非显示区的金属信号线长度的1/3-2/3。

3.根据权利要求1所述的拼接屏的制备方法，其特征在于，

在步骤S2中，采用激光器对位于所述非显示区的信号走线进行挖空处理，所述金属信号线被分割成第一信号线段及第二信号线段，所述第一信号线段位于所述非显示区的内边缘处且靠近所述显示区，所述第二信号线段位于所述非显示区的外边缘处且远离所述显示区；其中，所述第一信号线段的长度大于或等于20μm。

4.根据权利要求1所述的拼接屏的制备方法，其特征在于，

在步骤S1中，所述薄膜晶体管阵列层还包括防护层，所述防护层设置于位于所述非显示区的金属信号线上；其中，所述防护层的长度小于或等于位于所述非显示区的金属信号线的长度。

5.根据权利要求4所述的拼接屏的制备方法，其特征在于，

所述防护层所用的材质为透明聚酰亚胺聚合物、黄色聚酰亚胺聚合物、含有炭黑的有机光阻材料中的一种。

6.根据权利要求1所述的拼接屏的制备方法，其特征在于，

在步骤S1中，所述初始显示模组还包括封装层，所述封装层设置于所述发光层上，且从所述显示区延伸至所述非显示区；

所述发光层包括呈阵列分布的两个以上LED芯片，所述LED芯片与所述薄膜晶体管阵列层电连接；所述薄膜晶体管阵列层包括衬底基板以及驱动电路，所述驱动电路设置于所述衬底基板上，所述LED芯片与所述驱动电路电连接。

7.根据权利要求6所述的拼接屏的制备方法，其特征在于，

所述封装层所用的材质包括硅胶、环氧胶、丙烯酸类树脂中的一种；

所述封装层的厚度为所述LED芯片高度的1.2-2倍。

8.根据权利要求1所述的拼接屏的制备方法，其特征在于，在步骤S4之后，还包括：

S5、将至少两个目标显示模组进行拼接处理，以获得一拼接屏。

9.一种根据权利要求1所述的拼接屏的制备方法制备的拼接屏，其特征在于，包括：

目标显示模组，所述目标显示模组包括薄膜晶体管阵列层以及发光层，所述发光层设置于所述薄膜晶体管阵列层上；其中，所述薄膜晶体管阵列层包括从所述显示区延伸至所述非显示区的金属信号线；以及位于所述非显示区的挖空部，所述挖空部与所述信号走线相邻接；

当至少两个目标显示模组相互拼接时，一目标显示模组的挖空部与另一目标显示模组的挖空部相邻接。

10.根据权利要求9所述的拼接屏，其特征在于，所述目标显示模组还包括封装层，所述封装层设置于所述发光层上，且从所述显示区延伸至所述非显示区；

所述发光层包括呈阵列分布的两个以上LED芯片，所述LED芯片与所述薄膜晶体管阵列层电连接；所述薄膜晶体管阵列层包括衬底基板以及驱动电路，所述LED芯片与所述驱动电路电连接。