[发明专利]电压倍增器电路

说明书

本公开的实施例涉及电压倍增器电路。在一个实施例中，电压倍增器包括输入节点、输出节点以及用于接收限定两个换向状态的第一和第二时钟信号的第一和第二控制节点。中间节点的有序序列被耦合在输入和输出节点之间并且包括两个有序子序列。电容器被耦合：在第一子序列中的每个奇数中间节点与第一控制节点之间；在第一子序列中的每个偶数中间节点与第二控制节点之间；在第二子序列中的每个奇数中间节点与第一子序列中对应的奇数中间节点之间；在第二子序列中的每个偶数中间节点与第一子序列中对应的偶数中间节点之间。电路包括与中间节点耦合的选择性导电电子组件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年5月12日提交的题为“Voltage Multiplier Circuit”的意大利专利申请号102021000012167的优先权，该专利申请通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及电子系统和方法，并且在特定实施例中，涉及电压倍增器电路。

背景技术

电压倍增器电路在本领域中是已知的并且已成为例如通过以下参考文件列表中引用的文件所公开的广泛工作的主题：

[Schenkel]M.Schenkel,“Eine neue schaltung fur die erzeugung holdergleichspannungen，”Elektrotechnische Zeitschrift,vol.40,no.28,pp.333-335,July1919；

[Cockcroft]J.D.Cockcroft以及E.T.Walton,“Experiments with HighVelocity Positive Ions.-(I)Further Developments in the Method of ObtainingHigh Velocity Positive Ions,”Proc.Roy.Soc.,A,vol.136,pp.619-630,1932；

[Luscher]J.Luscher,“Arrangements for biasing the substrate of anintegrated circuit,”U.S.Patent 3 845 331,1974；

[Dickson]J.F.Dickson,“On-chip high-voltage generation in MNOSintegrated circuits using an improved voltage multiplier technique，”IEEEJ.Solid-State Circuits，vol.SC-11，pp.374-378，6月1976；

[Storti]S.Storti,F.Consiglieri and M.Paparo,“A 30-A 30-V motorcontroller and driver,”IEEE J.Solid-State Circuits,vol.23,no.6,pp.1394-1401,Dec.1988；

[Hobrecht]S.Hobrecht,“An intelligent BiCMOS/DMOS quad 1-A high-sideswitch,”IEEE J.Solid-State Circuits,vol.25,no.6,pp.1395-1402,Dec.1990；

[Wong]S.L.Wong,S.Venkitasubrahmanian,M.J.Kim以及J.C.Young,“Design ofa 60-V 10-A intelligent power switch using standard cells,”IEEE J.Solid-StateCircuits,vol.27,no.3,pp.429-432,3月1992；