[发明专利]多弧离子镀膜装置

权利要求书

1.一种多弧离子镀膜装置，其特征在于，包括：

镀膜模组，所述镀膜模组包括真空室、镀膜弧源和刻蚀组件，所述刻蚀组件包括刻蚀弧源、挡板和阳极组件；

所述镀膜弧源和所述刻蚀弧源均与所述真空室相连接，所述阳极组件对应所述刻蚀弧源设置于所述真空室的内部，所述挡板设置于所述刻蚀弧源和所述阳极组件之间，所述真空室的内部用于通入反应气体。

2.根据权利要求1所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于，还包括：

抽真空模组，所述抽真空模组与所述真空室相连接，以对所述真空室进行抽真空处理；

冷却模组，所述冷却模组能够向所述抽真空模组和所述镀膜模组供给冷却流体；

电源模组，所述电源模组能够向所述镀膜模组、所述抽真空模组和所述冷却模组供电；

电控模组，所述电控模组与所述电源模组、所述冷却模组、所述抽真空模组和所述镀膜模组相电连接，所述电控模组能够对所述电源模组、所述冷却模组、所述抽真空模组和所述镀膜模组进行协同控制。

3.根据权利要求2所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于，所述抽真空模组包括抽气泵组和控制阀组；

所述控制阀组、所述冷却模组与所述镀膜模组集成为第一结构部分，所述电源模组、所述抽气泵组与所述电控模组集成为第二结构部分；

所述控制阀组与所述镀膜模组相连接，所述控制阀组与所述抽气泵组可拆卸连接，以使所述第一结构部分与所述第二结构部分可拆卸连接并使所述抽气泵组通过所述控制阀组与所述真空室相连通。

4.根据权利要求3所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于，所述控制阀组沿第一方向设置于所述镀膜模组的侧部，所述冷却模组沿第二方向设置于所述镀膜模组的侧部；

所述电源模组和所述电控模组分别沿所述第二方向设置于所述抽气泵组的两侧；

所述第二结构部分沿所述第一方向设置于所述第一结构部分的侧部。

5.根据权利要求3所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于，所述刻蚀组件包括至少两个所述刻蚀弧源，至少两个所述刻蚀弧源形成刻蚀弧源组，至少三个所述镀膜弧源形成镀膜弧源组；

所述刻蚀弧源组的数量和所述镀膜弧源组的数量均为至少一组；

所述镀膜模组还包括反应气体供应管，所述反应气体供应管的一端用于接通气源，所述反应气体供应管的另一端伸入到所述真空室的内部；

每个所述镀膜弧源和每个所述刻蚀弧源一一对应地设置有所述反应气体供应管。

6.根据权利要求5所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于，

所述真空室包括侧部主体、顶部盖板和底部盖板，所述侧部主体包括呈八边形连接的八个侧壁，所述顶部盖板和所述底部盖板分别封盖于所述侧部主体的顶端开口和底端开口；

所述刻蚀弧源组包括两个刻蚀弧源，每个所述刻蚀弧源组设置于所述侧部主体的一个所述侧壁；

所述镀膜弧源组包括三个镀膜弧源，每个所述镀膜弧源组的两个所述镀膜弧源与另一个所述镀膜弧源分别设置于所述侧部主体的两个所述侧壁；

所述侧部主体的一个所述侧壁还开设有真空抽气口，所述控制阀组通过所述真空抽气口与所述真空室相连接。

7.根据权利要求6所述的多弧离子镀膜装置，其特征在于，所述侧部主体包括可开合连接的门体段和主体段，所述门体段包括三个顺次相连的所述侧壁，所述主体段包括其余五个顺次相连的所述侧壁；

所述刻蚀弧源组的数量为一组，所述镀膜弧源组的数量为三个，三个所述镀膜弧源组分别为第一镀膜弧源组、第二镀膜弧源组和第三镀膜弧源组；

所述刻蚀弧源组设置于所述门体段上位于中间的所述侧壁，所述第一镀膜弧源组的三个所述镀膜弧源分别设置在所述门体段的其余两个所述侧壁上；

所述真空抽气口开设在所述主体段上与所述刻蚀弧源正对的所述侧壁上，所述第二镀膜弧源和所述第三镀膜弧源分别设置于所述主体段上分别设置在所述真空抽气口两侧的两个所述侧壁上。