[发明专利]半导体器件的清洗方法

说明书

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件的清洗方法，其中，采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，更容易在深宽比结构的表面铺展，更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子解离，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件的清洗方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，且半导体器件的集成度越高，所需的清洗工序就越多。在诸多清洗工序中，只要有一道清洗工序无法满足要求，那么整批芯片都将报废。因此，在半导体制造业，清洗尤为重要。在实际应用中，在半导体器件的制造过程中，产生并粘附在半导体器件上的污染物主要包括颗粒、金属污染物和有机污染物。为了去除这些污染物，对半导体器件进行湿法清洗的处理。然而，在湿法清洗过程中，通常使用腐蚀性水溶液对半导体器件进行清洗。这样在去除污染物的同时，也会出现腐蚀性水溶液对半导体器件的破坏，从而影响半导体器件的性能。

发明内容

本公开实施例提供的半导体器件的清洗方法，用以改善腐蚀性水溶液对半导体器件的破坏，导致的影响半导体器件的性能的问题。

根据一些实施例，本公开实施例提供的半导体器件的清洗方法，包括：

采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；

采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；

其中，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。

基于此，在进行腐蚀性水溶液浸泡后，采用第一水溶性有机溶剂对半导体器件进行清洗，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，相比于采用去离子水，第一水溶性有机溶剂会更容易在深宽比结构的表面铺展，可以更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构底部的时间过长而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子(例如氟离子)解离，进一步改变刻蚀率，进一步避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。进一步地，本公开的清洗方法得到的器件结构保持完整，且不变形，能够提高半导体器件的电学性能及产品良率。

在一些示例中，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm，进一步地使第一水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展。

在一些示例中，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：采用去离子水或含CO₂的去离子水清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述含CO₂的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧，以去除第一水溶性有机溶剂。

在一些示例中，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：采用第二水溶性有机溶剂清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。这样可以去除第一水溶性有机溶剂的残留部分。

在一些示例中，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。这样可以使第二水溶性有机溶剂更容易在深宽比结构的表面铺展，提高去除第一水溶性有机溶剂的速率。