[发明专利]一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法在审
| 申请号： | 202210517476.7 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114959831A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王梓垚;马国峰;李会 | 申请（专利权）人： | 沈阳大学 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 荧光 陶瓷膜 制备 方法 | ||
1.一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法，其特征在于：借助微弧氧化反应在基体材料表面原位生长荧光陶瓷膜。
2.根据权利要求1所述的一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法，其特征在于：基体材料可采用TA1、TA2、TA7、TA9、TA10、TA11、TA13、TA18、TA19、TB5、TB6、TB9、TC4、TC19、TC20、TC24中的一种，优选为TA1。
3.根据权利要求1所述的一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法，其特征在于：微弧氧化反应在电解液中进行，电解液化学组成包括0.1g/L-10g/L的NaSiO3、0.1g/L-5g/L的(NaPO3)6、0.1g/L-2g/L的KOH、0.1g/L-2g/L的EDTA-2Na、0.1g/L-10g/L的激活剂原料，溶剂为去离子水，其中，激活剂原料可采用氧化铕、氯化铕、硝酸铕、氢氧化铕中的一种，优选为氧化铕。
4.根据权利要求1所述的一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法，其特征在于：微弧氧化反应采用的电源为直流稳压电源，工作电压为320V-520V间的任一值，占空比为10%-90%间的任一值，反应时间为1分钟-30分钟间的任一值。
5.根据权利要求1所述的一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法，其特征在于：配置电解液所需原料纯度为优级纯或以上等级。
6.根据权利要求1所述的一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法，其特征在于：电解液置于循环冷却装置中以确保反应温度不高于30℃。
7.根据权利要求1所述的一种微弧氧化荧光陶瓷膜及制备方法，其特征在于：该荧光陶瓷膜可在深紫外或近紫外光激发下，发射峰位于红光波段，主波长位于614 nm。
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