[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210518969.2 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN114975595A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 胡凯;黃敬源;叶朝栋;章晋汉 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一氮基半导体层；
第二氮基半导体层，设置于所述第一氮基半导体层上，且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙，其中，所述第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及电绝缘部分，所述电绝缘部分围绕所述有源部分，且所述电绝缘部分具有一对凹陷以接收所述有源部分；
一对掺杂的氮基半导体层，设置于所述第二氮基半导体层上，其中所述掺杂的氮基半导体层彼此分离；以及
第一电极，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述掺杂的氮基半导体层之间，其中每一个所述掺杂的氮基半导体层中具有彼此相对的第一侧表面以及第二侧表面，所述第一侧表面面向所述第一电极，所述第二侧表面背对所述第一电极，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向上，所述第一侧表面对齐所述凹陷的边界，所述第二侧表面与所述凹陷的边界隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每一个所述掺杂的氮基半导体层还具有一对端表面，其中沿着所述第二氮基半导体层的所述法线方向上，所述端表面对齐所述凹陷的边界。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每一个所述掺杂的氮基半导体层各自的一对所述端表面之间的距离大于所述第一电极的长度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极的长度小于所述掺杂的氮基半导体层的长度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
一对第二电极，设置于所述第二氮基半导体层上，且所述掺杂的氮基半导体层以及所述第一电极位于所述第二电极之间。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极的长度小于所述掺杂的氮基半导体层的长度。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二电极位在所述凹陷之外。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
钝化层，设置于所述第二氮基半导体层以及所述掺杂的氮基半导体层之上，并且完全地覆盖所述掺杂的氮基半导体层的所述第二侧表面。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极位在所述凹陷之外。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
一对栅极电极，分别设置于所述掺杂的氮基半导体层上，所述第一电极的长度小于所述栅极的长度。
11.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一氮基半导体层；
第二氮基半导体层，设置于所述第一氮基半导体层上，且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙，其中，所述第一以及第二氮基半导体层共同具有有源部分以及电绝缘部分，所述电绝缘部分围绕所述有源部分，且所述电绝缘部分具有一对凹陷以接收所述有源部分；
一对掺杂的氮基半导体层，设置于所述第二氮基半导体层上，其中所述掺杂的氮基半导体层彼此分离；以及
第一电极，设置于所述第二氮基半导体层上以及在所述掺杂的氮基半导体层之间，其中每一个所述掺杂的氮基半导体层中具有彼此相对的第一侧表面以及第二侧表面，所述第一侧表面面向所述第一电极，所述第二侧表面背对所述第一电极，且所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的距离小于所述凹陷的宽度，其中沿着所述第二氮基半导体层的法线方向上，所述第一侧表面对齐所述凹陷的边界。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，每一个所述掺杂的氮基半导体层还具有一对端表面，其中沿着所述第二氮基半导体层的所述法线方向上，所述端表面对齐所述凹陷的边界。
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