[发明专利]一种低吸发比高发射率涂层材料及其制备工艺、以及一种涂层系统及其制备工艺在审
申请号: | 202210520296.4 | 申请日: | 2022-05-13 |
公开(公告)号: | CN114855113A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 王卫泽;朱含;李东鹏;杨敏;方焕杰;杨挺;付鑫;孙杰 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C23C4/073 | 分类号: | C23C4/073;C23C4/11;C23C4/131;C23C4/134 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 余永莉 |
地址: | 200237 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低吸发 比高 发射 涂层 材料 及其 制备 工艺 以及 系统 | ||
1.一种低吸发比高发射率涂层材料,其特征在于,所述低吸发比高发射率涂层材料为氧化镁掺杂氧化铝,其中,氧化镁的掺杂量为1~10wt.%。
2.一种根据权利要求1所述的低吸发比高发射率涂层材料的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
A1:按一定的质量比分别称量Al2O3粉末与MgO粉末,将称量好的混合粉末倒入球磨罐中,使用无水乙醇作为介质,以及氧化铝材质的磨球,所述磨球与混合粉末的质量比为(1~3):1,使用行星式球磨机进行磨混20~24h;
A2:将步骤A1球磨后的浆料放入烘干机中烘干2~3个小时,使用电子天平称量3~5g烘干后的粉体,将其放入CIP-22M微型等静压机中,在冷等静压250~300MPa的压力下保持5~10min;
A3:将步骤A2所得的块材在1500~1550℃空气气氛中烧结60~72小时后,冷却至室温,即可获得一种氧化镁掺杂氧化铝的低吸发比高发射率涂层材料。
3.根据权利要求2所述的制备工艺,其特征在于,步骤A1中,所述Al2O3、MgO的纯度为99.99%以上。
4.根据权利要求2所述的制备工艺,其特征在于,步骤A1中,所述磨球与混合粉末的质量比为2:1。
5.一种低吸发比高发射率涂层系统的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
B1:提供一种根据权利要求1所述的低吸发比高发射率涂层材料;
B2:将所述低吸发比高发射率涂层材料进行喷雾造粒,干燥处理,制成粒径为15~45μm的高流动性粉末作为陶瓷层粉末;
B3:提供一种镍基合金基体,在所述镍基合金基体上喷涂NiCrAlY粉末形成金属粘结层;
B4:采用喷涂工艺将步骤B2制备的陶瓷层粉末喷涂到步骤B3制备的金属粘结层上,形成陶瓷层,即得。
6.根据权利要求5所述的制备工艺,其特征在于,步骤B3中,陶瓷层制备过程的参数为:首先利用喷枪将基体预热至200~300℃,然后进行喷涂,喷涂电压为60~70V,喷涂电流为550~650A,主气压力为50NLPM,氢气压力为8NLPM,喷枪移动速度为500mm/s,喷涂距离为60~100mm,送粉转速为1.3~1.7r/min。
7.根据权利要求6所述的制备工艺,其特征在于,所述金属粘结层的厚度控制在130~180μm。
8.根据权利要求5所述的制备工艺,其特征在于,步骤B4中,陶瓷层制备过程的参数为:首先利用喷枪将基体预热至200~300℃,然后进行喷涂,喷涂电压为60~70V,喷涂电流为550~650A,主气压力为50NLPM,氢气压力为8NLPM,喷枪移动速度为500~1000mm/s,喷涂距离为60~100mm,送粉转速为1.3~1.7r/min。。
9.根据权利要求8所述的制备工艺,其特征在于,所述陶瓷层的厚度控制为200~250μm。
10.一种根据权利要求5~9中任意一项所述的制备工艺制备得到的低吸发比高发射率涂层系统,其特征在于,所述低吸发比高发射率涂层系统包括:基底层;形成于所述基底层表面的金属粘结层;以及通过所述金属粘结层连接的陶瓷层;其中,所述基底层的成分为高温镍基合金IN738,所述金属粘结层的成分为NiCrAlY,所述陶瓷层为不同氧化镁掺杂量的氧化镁掺杂氧化铝。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆