[发明专利]分层存储器系统中的对象管理在审

专利信息
申请号: 202210522306.8 申请日: 2022-05-13
公开(公告)号: CN115357522A 公开(公告)日: 2022-11-18
发明(设计)人: R·巴苏 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06;G06F12/0893;G06F12/1009;G06F12/1081
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 分层 存储器 系统 中的 对象 管理
【说明书】:

论述与分层存储器系统中的对象管理相关的系统、设备和方法。实例方法可包含写入表示第一存储器装置的存储器对象的数据。所述第一存储器装置可包含第一类型的存储器媒体,所述第一类型的存储器媒体包含NAND闪存或NOR闪存。所述实例方法可包含确定所述存储器对象的数据大小小于阈值数据大小。所述方法可包含将表示所述存储器对象的所述数据写入到包含第二类型的存储器媒体的第二存储器装置。所述第二存储器媒体为包含相变存储器或电阻性随机存取存储器的非易失性存储器。

技术领域

本公开大体上涉及存储器对象,且更特定来说,涉及用于分层存储器系统中的对象管理的设备、系统和方法。

背景技术

存储器装置通常作为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路提供。存在许多不同类型的存储器,包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力以维持其数据(例如,主机数据、错误数据等)且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和闸流体随机存取存储器(TRAM)等等。非易失性存储器可通过在未供电时保持所存储数据来提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)和电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁阻随机存取存储器(MRAM),例如自旋力矩转移随机存取存储器(STT RAM)等等。

存储器装置可耦合到主机(例如,主机计算装置)以存储数据、命令和/或指令以供主机在计算机或电子系统运行时使用。举例来说,可在计算或其它电子系统的操作期间在主机与存储器装置之间传送数据、命令和/或指令。

发明内容

在一方面中,本公开提供一种方法,其包括:将表示存储器对象的数据写入到包括第一类型的存储器媒体的第一存储器装置;确定所述存储器对象的大小小于阈值数据大小;和将表示所述存储器对象的所述数据写入到包括不同于所述第一类型的第二类型的存储器媒体的第二存储器装置;其中所述第一类型的存储器媒体包括NAND闪存或NOR闪存,且所述第二类型的存储器媒体为包括相变存储器或电阻性随机存取存储器(RAM)的非易失性存储器媒体。

在另一方面中,本公开进一步提供一种系统,其包括:第一存储器装置,其包括第一类型的存储器媒体,所述第一类型的存储器媒体包括NAND闪存或NOR闪存;第二存储器装置,其包括第二类型的存储器媒体,所述第二存储器媒体为包括相变存储器或电阻性随机存取存储器(RAM)的非易失性存储器;和控制器,其耦合到所述第一存储器装置和所述第二存储器装置,所述控制器配置成:将表示多个存储器对象的数据写入到所述第一存储器装置;接收对访问所述第一存储器装置中表示所述多个存储器对象中的存储器对象的数据的请求;确定所述多个存储器对象中的所述存储器对象的所述数据的大小是否小于阈值数据大小;和响应于表示所述存储器对象的所述数据的所述大小小于所述阈值数据大小,将表示与所述数据相关联的所述存储器对象的所述数据写入到所述第二存储器装置。

在再一方面中,本公开进一步提供一种系统,其包括:第一存储器装置,其包括第一类型的存储器媒体;第二存储器装置,其包括第二类型的存储器媒体;和控制器,其耦合到所述第一存储器装置和所述第二存储器装置,且配置成:将表示多个存储器对象中的每一个的数据写入到所述第一存储器装置;和响应于表示所述多个存储器对象中的特定一个的数据的大小小于所述第一存储器装置的页面大小,将表示所述特定一个存储器对象的所述数据写入到所述第二存储器装置;其中:所述第一类型的存储器媒体包括NAND闪存或NOR闪存;所述第二类型的存储器媒体为包括相变存储器或电阻性随机存取存储器(RAM)的非易失性存储器;且与所述第一存储器装置和所述第二存储器装置相关联的地址空间连续地跨越所述第一存储器装置和所述第二存储器装置两者。

附图说明

图1A为根据本公开的数个实施例的呈包含控制器和相应存储器装置的计算系统的形式的框图。

图1B为根据本公开的数个实施例的呈包含控制器和存储器装置的计算系统的形式的框图。

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