[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，且所述衬底包括凹槽结构区域和所述凹槽结构区域之外的非凹槽结构区域，且所述凹槽结构区域中形成有凹槽结构；

第一导电类型阱，其位于所述衬底中；

第二导电类型漂移区，其位于所述衬底中，与所述第一导电类型阱紧邻或者间隔开，且所述凹槽结构位于部分所述第一导电类型阱和第二导电类型漂移区中；

阳极，其位于所述第二导电类型漂移区中；

阴极，其位于所述第一导电类型阱中；

栅极氧化层，其位于所述凹槽结构的部分底面上以及所述非凹槽结构区域的部分衬底上，以使所述栅极氧化层呈阶梯型；

栅极，其位于所述栅极氧化层上，且所述栅极呈阶梯型。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

深第二导电类型阱区，其位于所述衬底的底部；

第一导电类型漂移区，其位于所述深第二导电类型阱区上，且所述第一导电类型阱和第二导电类型漂移区位于所述第一导电类型漂移区中。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括隔离区，所述隔离区包括第二导电类型阱以及位于所述第二导电类型阱中的第一注入区，所述第二导电类型阱与所述第一导电类型阱之间被浅沟槽隔离结构隔离开。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极氧化层包括位于所述非凹槽结构区域的所述第一导电类型阱中的部分衬底上的第一部分、位于所述第二导电类型漂移区中的所述凹槽结构的底面上的第三部分以及位于所述第一部分和第三部分之间的第二部分，其中所述第一部分的厚度小于所述第二部分和第三部分的厚度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括金属硅化物层，所述金属硅化物层位于所述阴极、阳极以及栅极上。

6.一种权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，且所述衬底设计有凹槽结构区域和所述凹槽结构区域之外的非凹槽结构区域；

对所述衬底进行离子注入以形成第一导电类型阱和第二导电类型漂移区，其中所述第二导电类型漂移区与所述第一导电类型阱紧邻或者间隔开；

在所述凹槽结构区域的衬底上定义出凹槽结构区，并对所述凹槽结构区的衬底进行刻蚀形成凹槽结构，所述凹槽结构位于所述第一导电类型阱和所述第二导电类型漂移区中；

在所述凹槽结构的部分底面上以及所述非凹槽结构区域的部分衬底上形成阶梯型的栅极氧化层；

在所述栅极氧化层上形成阶梯型的栅极；

对所述衬底进行离子注入，以在所述第二导电类型漂移区中形成阳极以及在所述第一导电类型阱中形成阴极。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成第一导电类型阱以及第二导电类型漂移区的步骤之前，还包括：

对所述衬底进行第二导电类型离子注入以形成深第二导电类型阱区；

对所述深第二导电类型阱区进行第一导电类型离子和第二导电类型离子注入以形成第一导电类型漂移区和与所述第一导电类型漂移区紧邻的第二导电类型阱。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述衬底中还形成有浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构位于所述第一导电类型阱与第二导电类型阱之间。

9.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述衬底进行离子注入，以在所述第二导电类型漂移区中形成阳极以及在所述第一导电类型阱中形成阴极的步骤中，还包括：形成第一注入区，所述第一注入区位于所述第二导电类型阱中。