[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括：

一载体基板；

一中介层基板，设置在该载体基板上；

一半导体装置，设置在该中介层基板上；

一盖件，设置在该载体基板上，以覆盖该半导体装置；以及

一热界面材料，设置在该盖件与该半导体装置之间，其中一第一凹部形成在该盖件的面向该半导体装置的一下表面上，且在俯视视角中，该第一凹部与该半导体装置重叠。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该载体基板的一边缘与该盖件的一顶部表面之间的一距离大于该载体基板的一中心部分与该盖件的该顶部表面之间的一距离。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中一第二凹部形成在该下表面上，且该第二凹部与该第一凹部分开。

4.如权利要求3所述的半导体封装结构，其中一第三凹部形成在该下表面上，该第一凹部及该第二凹部排列在一第一方向上，该第一凹部及该第三凹部排列在该第一方向上，该第二凹部及该第三凹部排列在一第二方向上，且该第一方向与该第二方向不同。

5.如权利要求3所述的半导体封装结构，其中一第四凹部形成在该第一凹部的一底部表面上，且该第一凹部的该底部表面与该半导体装置的一顶部表面之间的距离小于该第四凹部的一底部表面与该半导体装置的该顶部表面之间的距离。

6.一种半导体封装结构，包括：

一载体基板；

一中介层基板，设置在该载体基板上；

一半导体装置，设置在该中介层基板上，其中该中介层基板设置在该载体基板与该半导体装置之间；

一盖件，设置在该载体基板上，以覆盖该半导体装置；以及

一热界面材料，设置在该盖件与该半导体装置之间，其中一第一凹部形成在该盖件的一下表面上，且该热界面材料的一部分容置在该第一凹部中。

7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其中一第二凹部形成在该盖件的该下表面上，该第二凹部与该第一凹部分开，且该第一凹部的面积与该第二凹部的面积不同。

8.一种形成半导体封装结构的方法，包括：

在一中介层基板上提供一第一半导体装置；

在一载体基板上设置该中介层基板，其中该中介层基板设置在该载体基板与该第一半导体装置之间；

在该第一半导体装置上提供一热界面材料；以及

在该载体基板上提供一盖件，以覆盖该第一半导体装置，其中该盖件接触该热界面材料，该盖件包括面向该第一半导体装置的一下表面，一第一凹部形成在该盖件的该下表面上，且该热界面材料的一部分容置在该第一凹部中。

9.如权利要求8所述的形成半导体封装结构方法，其中在俯视视角中，该第一半导体装置容置在该第一凹部中。

10.如权利要求8所述的形成半导体封装结构方法，还包括对该半导体封装结构执行一加热工艺，其中该载体基板包括一下表面，在该加热工艺之后，该下表面朝向该盖件凹陷。