[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，包括：

一中介基板，形成于一封装基板之上；

一裸片，位于该中介基板之上；

一第一散热片，位于该封装基板之上；以及

一第二散热片，位于该裸片之上，且连接至该第一散热片，

其中该第一散热片的一热膨胀系数与该第二散热片的一热膨胀系数不同。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中该第一散热片包括一内部及一外部，其中该第二散热片覆盖该第一散热片的该内部。

3.如权利要求2所述的半导体封装结构，其中该第一散热片的该外部的一侧壁与该第二散热片的一侧壁分隔。

4.一种半导体封装结构，包括：

一中介基板，位于一封装基板之上；

一第一散热片，附接至该封装基板；

一附接结构，形成于该第一散热片之上；

一裸片，位于该中介基板之上；以及

一第二散热片，附接至该裸片及该附接结构，

其中该第一散热片及该第二散热片以不同材料制成。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中该附接结构与该第一散热片及该第二散热片直接接触。

6.如权利要求4所述的半导体封装结构，还包括：

一封装层，包围该裸片；

一热界面材料覆盖该裸片及该封装层，

其中该热界面材料的一顶表面与该附接结构的一顶表面大抵齐平。

7.如权利要求4所述的半导体封装结构，其中该第二散热片的一侧壁位于该第一散热片的相对侧壁之间。

8.一种形成半导体封装结构的方法，包括：

形成一中介基板于一载体基板之上；

放置一裸片于该中介基板之上；

从该中介基板移除该载体基板；

放置该中介基板及该裸片于一封装基板之上；

附接一第一散热片于该封装基板之上，包围该中介基板；以及

使用一附接结构附接一第二散热片于该裸片之上以及附接至该第一散热片。

9.如权利要求8所述的形成半导体封装结构的方法，还包括：

形成第一垫层结构于该第一散热片之上；

形成第二垫层结构于该第二散热片之下；

接合该第一垫层结构及该第二垫层结构以附接该第一散热片及该第二散热片。

10.如权利要求8所述的形成半导体封装结构的方法，其中在附接该第一散热片于该封装基板上之前，该第一垫层结构及该第二垫层结构彼此接合。