[发明专利]一种光探测器

权利要求书

1.一种光探测器，其特征在于，包括：

衬底(1)；

第一导电层(2)，设置于所述衬底(1)上，且所述第一导电层(2)为量子点结构的高铝组分p型掺杂层；所述第一导电层(2)包括交替叠设的若干第一结构层和第二结构层，所述第一结构层为量子点结构层，所述第一结构层为GaN量子点结构层或InGaN量子点结构层，所述第二结构层为AlGaN层或InAlGaN层，所述第二结构层的厚度在5nm～20nm之间；

光敏层(3)和第二导电层(4)，依次设置于所述第一导电层(2)上；

第一电极(5)和第二电极(6)，分别设置于所述衬底(1)和所述第二导电层(4)上，所述第一电极(5)与所述第一导电层(2)电接触，所述第二电极(6)与所述第二导电层(4)电接触；所述第二导电层(4)至少除所述第二电极(6)遮挡的部分为透明的。

2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述衬底(1)为p型掺杂衬底，所述第一电极(5)通过所述衬底(1)与所述第一导电层(2)电接触。

3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述衬底(1)上具有导电通孔，所述第一电极(5)通过所述衬底(1)上的导电通孔延伸至所述第一导电层(2)处。

4.根据权利要求3所述的光探测器，其特征在于，所述衬底(1)和所述第一导电层(2)之间还具有一缓冲层(7)；所述缓冲层(7)上同样具有导电通孔，所述第一电极(5)依次通过所述衬底(1)和所述缓冲层(7)上的导电通孔延伸至所述第一导电层(2)处。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光探测器，其特征在于，所述第二导电层(4)上除所述第二电极(6)覆盖部分以外的区域均设置有钝化层(8)，所述钝化层(8)包括交替叠设的若干第一介质层和第二介质层，且所述第一介质层的光折射率高于所述第二介质层的光折射率。

6.根据权利要求5所述的光探测器，其特征在于，所述第一导电层(2)的p型掺杂净浓度高于2x10¹⁹cm^-3。