[发明专利]一种SOI晶圆及制造方法在审
| 申请号： | 202210526183.5 | 申请日： | 2022-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN115188703A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋兴教;梁昕;郭晨浩;宋飞;张涛 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 soi 制造 方法 | ||
1.一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一硅晶圆和第二硅晶圆；
分别在所述第一硅晶圆的键合面和所述第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；
分别对所述第一硅晶圆的键合面及所述第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入；
将所述等离子体注入后的所述第一硅晶圆的键合面与所述第二硅晶圆的键合面键合；
所述键合后，对所述第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄；
所述第一次减薄后，在所述第二硅晶圆的非键合面形成介质层。
2.根据权利要求1所述的一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于：所述介质层为二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于：所述介质层的厚度为16KÅ～22KÅ。
4.根据权利要求1所述的一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于：所述介质层形成后，对所述第一硅晶圆的非键合面进行第二次减薄，所述第二次减薄采用酸性腐蚀液进行减薄。
5.根据权利要求4所述的一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于：所述第二次减薄后，对所述第一硅晶圆的非键合面进行第三次减薄，所述第三次减薄采用化学机械减薄方式进行减薄。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于：所述第一硅晶圆的非键合面和所述第二硅晶圆的非键合面各自形成非键合面氧化层，所述介质层形成于所述第二硅晶圆的非键合面氧化层表面。
7.一种SOI晶圆，其特征在于：包括依次层叠的介质层、第二硅晶圆、第一氧化层、第一硅晶圆，所述SOI晶圆采用如权利要求1所述制造方法制造而成。
8.根据权利要求7所述的SOI晶圆，其特征在于：所述第二硅晶圆与所述介质层之间形成有第二氧化层。
9.根据权利要求8所述的一种SOI晶圆，其特征在于：所述介质层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。
10.根据权利要求7所述的一种SOI晶圆，其特征在于：所述介质层为二氧化硅层；所述介质层的厚度为16KÅ～22KÅ。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
