[发明专利]一种微观表面颗粒均匀的高抗剥电解铜箔及其制备方法有效
申请号: | 202210528344.4 | 申请日: | 2022-05-16 |
公开(公告)号: | CN114752977B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 林家宝 | 申请(专利权)人: | 东强(连州)铜箔有限公司 |
主分类号: | C25D5/10 | 分类号: | C25D5/10;C25D5/34;C25D5/48;C25D7/06;C25D3/38 |
代理公司: | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人: | 张天琦 |
地址: | 511500 广东省清远市连州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微观 表面 颗粒 均匀 高抗剥 电解 铜箔 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种微观表面颗粒均匀的高抗剥电解铜箔及其制备方法,涉及电解铜箔生产技术领域,该电解铜箔的制备方法包括以下步骤:(1)使用微蚀液A将铜箔进行第一道微蚀处理,再使用电解液进行第一道铜瘤化层电沉积,得到材料A;(2)使用微蚀液B将材料A进行第二道微蚀处理,再使用电解液进行第二道铜瘤化层电沉积,得到材料B;(3)使用微蚀液C将材料B进行第三道微蚀处理,再使用电解液进行第三道铜瘤化层电沉积,即得铜瘤化层;(4)将铜瘤化层进行表面固化处理、水洗、再进行耐热层处理、防氧化层处理和有机层处理,即得电解铜箔。该电解铜箔微观镀层如颗粒般均匀分布,且具有较高的抗剥离强度。
技术领域
本发明涉及电解铜箔生产技术领域,具体涉及一种微观表面颗粒均匀的高抗剥电解铜箔及其制备方法。
背景技术
随着电子产品不断向小型化、多功能化的方向发展,推动了印制板向多层化、高集成化、高密度化方向发展。印制线路图形的线宽和间距也越来越向微细化方向发展。因此,对线路板的可靠性能提出了更高的要求,例如精细线路中要求使用的薄型化铜箔有更高的抗剥离强度并能有效地减少或者避免蚀刻线路时产生的“残铜”现象,铜箔的这些性能都与铜箔所采用的表面处理工艺密切相关。残铜是PCB加工过程中较容易碰到的问题,与铜箔的处理层结构和生箔的M面结构关联较大。铜箔M面镀层颗粒大小不均、存在毛箔部分峰没有镀层或部分镀层颗粒过大,会导致表面处理后,PCB难以将大颗粒蚀刻完全,出现残铜。出现残铜后,残铜集中在线路板的密集区域,会造成线路短路,严重影响印制电路板的质量。提高铜箔的抗剥离强度(即与树脂的粘结强度)且铜箔M面镀层颗粒大小均匀无残铜,保证剥离强度的稳定性,在Tg170-Tg230(玻璃化温度)的低损耗板材上,技术难度相当大。故铜箔表面处理技术也成为铜箔制造企业的研究热点。
专利CN103088379A公开了一种电解铜箔生产中的表面处理工艺,处理工序具体为:第一次粗化、第一次固化、第二次粗化、第二次固化,其中,第一次粗化和第二次粗化的工艺条件均为:Cu2+浓度5-30g/l,H2SO4浓度40-60g/l,温度15-40℃,电流密度1300-2100A/m2。第一次固化和第二次固化的工艺条件均为:Cu2+浓度30-50g/l,H2SO4浓度40-60g/l,温度15-40℃,电流密度1500-1800A/m2。该工艺在表面处理过程中不使用含砷化合物,减少对员工、环境的污染,更绿色环保。
专利CN107099800A公开了一种铜箔光面微浊处理工艺及设备,该发明公开了将水加入到储液槽内,再向储液槽中加入硫酸并进行搅拌,硫酸浓度为100-400g/L,温度为10-80℃,将储液槽内水与硫酸的混合液进行冷却,冷却温度为10-50℃,再将入双氧水和盐酸加入到储液槽内,双氧水浓度为50-100g/L,盐酸浓度为20-50g/L,双氧水和盐酸与储液槽内水与硫酸的混合液,溶解后形成微浊液,温度为10-50℃,用该微蚀工艺和设备可对铜箔光面进行微蚀,使其产生凹凸不平的形状,增加铜箔比表面积,再经固化、耐热层处理、防氧化和涂偶联剂等处理后,所得到的光面处理铜箔与基材的接合力明显提高。
针对现有技术存在的问题,寻找一种具有较高抗剥离强度的电解铜箔及其制备方法十分必要。
发明内容
本发明针对现有技术存在的问题,提供了一种微观表面颗粒均匀的高抗剥电解铜箔及其制备方法,该电解铜箔微观镀层如颗粒般均匀分布,且具有较高的抗剥离强度。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下:
本发明提供了一种电解铜箔的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用微蚀液A将铜箔进行第一道微蚀处理,再使用电解液进行第一道铜瘤化层电沉积,得到材料A;
(2)使用微蚀液B将材料A进行第二道微蚀处理,再使用电解液进行第二道铜瘤化层电沉积,得到材料B;
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