[发明专利]一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管器件，其特征在于，包括蓝色子像素区域和至少一个非蓝色子像素区域，所述发光二极管器件包括发光结构层和反射层，所述发光结构层包括位于各子像素区域且依次叠层设置的第一半导体层、量子阱层和第二半导体层；

所述反射层位于所述发光结构层的一侧，所述反射层包括第一反射结构和至少一个第二反射结构，所述第一反射结构位于所述蓝色子像素区域，所述第二反射结构位于所述非蓝色子像素区域，所述第一反射结构对蓝光的反射率小于所述第二反射结构对蓝光的反射率。

2.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一反射结构包括至少一个周期的第一复合层，所述第二反射结构包括至少两个周期的所述第一复合层，所述第二反射结构的周期数大于所述第一反射结构的周期数；

其中，所述第一复合层包括叠层设置的第一无机材料层和第二无机材料层，第一无机材料的折射率大于第二无机材料的折射率。

3.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一复合层中的第一无机材料层的厚度范围为40nm～50nm，所述第一复合层中的第二无机材料层的厚度范围为72nm～82nm。

4.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一反射结构包括两个周期的所述第一复合层。

5.根据权利要求4所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第二反射结构中的第一复合层的周期数为4～7。

6.根据权利要求2所述的发光二极管器件，其特征在于，所述反射层包括第一子反射层以及依次设置在所述第一子反射层的背离所述发光结构层一侧的刻蚀阻挡层和第二子反射层，所述第一子反射层位于所述蓝色子像素区域和所述至少一个非蓝色子像素区域，所述刻蚀阻挡层至少位于所述蓝色子像素区域，所述第二子反射层位于所述至少一个非蓝色子像素区域，所述第一子反射层包括至少一个周期的所述第一复合层，所述第二子反射层包括至少一个周期的所述第一复合层；

所述第一反射结构包括位于所述蓝色子像素区域的所述第一子反射层，所述第二反射结构包括位于所述至少一个非蓝色子像素区域的所述第一子反射层和所述第二子反射层。

7.根据权利要求1所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一反射结构包括至少两个周期的第二复合层，所述第二反射结构包括至少三个周期的第一复合层；

其中，所述第一复合层包括叠层设置的第一无机材料层和第二无机材料层，所述第二复合层包括叠层设置的第一无机材料层和第二无机材料层，第一无机材料的折射率大于第二无机材料的折射率，所述第一复合层中的第一无机材料层和第二无机材料层的厚度与所述第二复合层中的第一无机材料层和第二无机材料层的厚度各不相同。

8.根据权利要求7所述的发光二极管器件，其特征在于，

所述第一复合层中的第一无机材料层的厚度范围为40nm～50nm，所述第一复合层中的第二无机材料层的厚度范围为72nm～82nm；和/或，

所述第二复合层中的第一无机材料层的厚度范围为53nm～63nm，所述第二复合层中的第二无机材料层的厚度范围为95nm～105nm。

9.根据权利要求7所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一反射结构的厚度与所述第二反射结构的厚度之间的厚度差异小于或等于120nm。

10.根据权利要求8所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一反射结构包括6个周期的所述第二复合层，所述第二反射结构包括7个周期的所述第一复合层。

11.根据权利要求2-10中任一项所述的发光二极管器件，其特征在于，所述第一无机材料的折射率范围为2～3，所述第二无机材料的折射率范围为1～2。