[发明专利]一种可靠性提升的激光器芯片及其制备工艺

权利要求书

1.一种可靠性提升的激光器芯片，包括衬底（1），衬底背面设有N面电极，衬底正面设有外延材料，外延材料的顶层为欧姆接触层（12），其特征在于，外延材料中设有波导，波导附近区域为波导区域（15）；外延材料表面设置有绝缘介质层（13），波导区域和绝缘介质层上设置有P面电极，但波导区域（15）中的欧姆接触层（12）上不设置绝缘介质层（13），P面电极与欧姆接触层（12）相接触；激光器芯片端面的区域设有无电极区（18），无电极区（18）上方不设置绝缘介质层（13）和P面电极。

2.根据权利要求1所示的可靠性提升的激光器芯片，其特征在于，所述无电极区（18）在芯片长度方向的长度大于等于1μm且小于芯片长度的一半。

3.根据权利要求1所示的可靠性提升的激光器芯片，其特征在于，所述无电极区（18）为激光器芯片端面的波导区域（15）或整个激光器芯片端面的区域。

4.权利要求1-3任意一项所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，步骤如下：

（1）在晶圆的外延材料上利用光刻工艺和刻蚀工艺在外延材料上制备波导；

（2）在步骤（1）中制备有波导的外延材料表面沉积绝缘介质层（13）；

（3）在步骤（2）中绝缘介质层（13）上利用光刻工艺和刻蚀工艺除去波导区域（15）中欧姆接触层（12）上的绝缘介质层（13），同时刻蚀除去靠近激光器芯片端面的绝缘介质层（13），制作无电极区（18）；

（4）在步骤（3）中晶圆的欧姆接触层（12）和绝缘介质层（13）上制备P面电极（14）；

（5）对步骤（4）中制备有P面电极（14）晶圆的衬底（1）背面进行减薄/抛光后制备N面电极，得到激光器晶圆；

（6）采用步骤（5）中制备的激光器晶圆制备激光器芯片。

5.根据权利要求4所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中芯片的外延材料为FP外延材料或DFB外延材料。

6.根据权利要求5所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述光刻工艺所使用光刻胶为正胶或负胶，光刻工艺的曝光方式为接触式曝光或投影式曝光。

7.根据权利要求6所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法腐蚀。

8.根据权利要求7所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中绝缘介质层（13）为氧化硅层或氮化硅层。

9.根据权利要求4-8任意一项所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中芯片端面为AR端（16）、HR端（17），或AR端（16）和HR端（17）。

10.根据权利要求9所述的激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中P面电极（14）的制备采用电子束蒸发工艺、溅射工艺或电镀工艺中的一种或两种或两种以上的组合；所述步骤（5）中N面电极的制备采用电子束蒸发工艺、溅射工艺或电镀工艺中的一种或两种或两种以上的组合。