[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应管

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应管，包括框架(31)，其特征在于：所述框架(31)的内部安装有电效应场(32)，所述电效应场(32)的内部安装有一号P形半导体(5)，所述一号P形半导体(5)顶端的一侧安装有一号N形半导体(1)，所述一号P形半导体(5)顶端的另一侧安装有二号N形半导体(2)，所述一号P形半导体(5)底端的一侧安装有三号N形半导体(3)，所述一号P形半导体(5)底端的另一侧安装有四号N形半导体(4)，所述三号N形半导体(3)和四号N形半导体(4)之间安装有N形半导体通道(8)，所述一号P形半导体(5)的顶端安装有增强型金属氧化物半导体场，所述一号P形半导体(5)的底端安装有耗尽型金属氧化物半导体场，所述一号P形半导体(5)的顶端固定连接有一号氧化层(6)，所述所述一号P形半导体(5)的底端固定连接有二号氧化层(7)，所述一号氧化层(6)的顶端安装有一号金属板(9)，所述二号氧化层(7)的底端安装有二号金属板(10)，所述一号金属板(9)和二号金属板(10)均电性连接有栅极G。

2.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述增强型金属氧化物半导体场包括一号源级G板(11)和一号漏级D板(12)，一号源级G板(11)的底端和一号氧化层(6)的顶端固定，一号漏级D板(12)的底端和一号氧化层(6)的顶端固定，一号源级G板(11)的底端贯穿一号氧化层(6)和一号N形半导体(1)接触，一号漏级D板(12)的底端贯穿一号氧化层(6)和二号N形半导体(2)接触，所述一号源级G板(11)的顶端电性连接有一号源级G线(15)，所述一号漏级D板(12)的顶端电性连接有一号漏级D线(16)，所述一号源级G线(15)电性连接有一号工作场，所述一号漏级D线(16)电性连接有一号工作场。

3.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述耗尽型金属氧化物半导体场包括二号源级G板(13)和二号漏级D板(14)，二号源级G板(13)的顶端和二号氧化层(7)的底端固定，二号漏级D板(14)的顶端和一号氧化层(6)的底端固定，二号源级G板(13)的顶端贯穿二号氧化层(7)和三号N形半导体(3)接触，二号漏级D板(14)的顶端贯穿一号氧化层(6)和四号N形半导体(4)接触，所述二号源级G板(13)的顶端电性连接有二号源级G线(17)，所述二号漏级D板(14)的顶端电性连接有二号漏级D线(18)，所述二号源级G线(17)电性连接有二号工作场，所述二号漏级D线(18)电性连接有二号工作场。

4.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述一号工作场包括一号电源(19)、二号P形半导体(20)、五号N形半导体(21)、开关(22)和一号工作装置(23)，一号电源(19)、二号P形半导体(20)、五号N形半导体(21)、开关(22)和一号工作装置(23)依次电性相连，二号P形半导体(20)一侧和五号N形半导体(21)一侧固定。

5.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述二号工作场包括三号电源(28)、灯泡(29)和二号工作装置(30)、三号电源(28)、灯泡(29)和二号工作装置(30)依次电性相连。

6.根据权利要求1所述的一种金属氧化物半导体场效应管，其特征在于：所述栅极G包括二号电源(24)，所述二号电源(24)的正极电性连接有一号电线(25)和二号电线(26)，一号电线(25)和一号金属板(9)电性连接，二号电线(26)和二号金属板(10)电性连接，所述二号电源(24)的负极电性连接有三号电线(27)，三号电线(27)和一号源级G线(15)电线连接。