[发明专利]高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板及其制备方法

权利要求书

1.一种高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，包括：

数百万个相互平行的通道式电子倍增单元排列而成的阵列式电子倍增器，每个电子倍增单元构成微通道结构；所述阵列式电子倍增器定义了输入面；

在输入面表面及电子倍增单元的通道内壁制备的具有光电转换功能的材料膜层形成反射式光电阴极，所述反射式光电阴极选择对于紫外光以及X射线具有高响应度的材料；以及

在所述反射式光电阴极表面制备的致密的、厚度均匀的超薄防水保护层。

2.根据权利要求1所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，所述反射式光电阴极包括碘化铯、碘化铜、溴化钾、氯化钾中的一种制备获得的单一膜层。

3.根据权利要求1所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，所述反射式光电阴极包括碘化铯、碘化铜、溴化钾、氯化钾中的至少两种制备获得的第一复合膜层。

4.根据权利要求2或者3所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，所述超薄防水保护层包括氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氮化硅中的一种制备获得的膜层。

5.根据权利要求2或者3所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，所述超薄防水保护层包括氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氮化硅中的至少两种制备获得的第二复合膜层。

6.根据权利要求1所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，所述反射式光电阴极覆盖面为整个输入面表面以及通道内壁的预定深度，覆盖的深度范围控制在3D～20D，其中D为MCP的每个电子倍增单元的孔径，并且镀膜深度≥1/tan(θ)，其中θ为电子倍增单元的斜切角。

7.根据权利要求6所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，所述超薄防水保护层的覆盖面为整个输入面表面以及整个通道内壁。

8.根据权利要求6所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板，其特征在于，所述反射式光电阴极的厚度控制在100nm～2000nm，超薄防水保护层的膜层总厚度控制在0.5nm～20nm。

9.一种高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在数百万个相互平行的通道式电子倍增单元排列而成的阵列式电子倍增器的在输入面表面以及电子倍增单元的通道内壁上，利用具有光电转换功能的材料制备膜层作为反射式光电阴极，所述反射式光电阴极选择对于紫外光以及X射线具有高响应度的材料；

在所述反射式光电阴极表面制备致密的、厚度均匀的超薄防水保护层。

10.根据权利要求9所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板的制备方法，其特征在于，所述反射式光电阴极包括碘化铯、碘化铜、溴化钾、氯化钾中的至少一种制备获得的单一膜层或者复合膜层。

11.根据权利要求9所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板的制备方法，其特征在于，所述超薄防水保护层包括氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氮化硅中的至少一种制备获得的单一膜层或者复合膜层。

12.根据权利要求9所述的高稳定性、高探测效率紫外光及X射线探测用微通道板的制备方法，其特征在于，所述反射式光电阴极覆盖面为整个输入面表面以及通道内壁的预定深度，覆盖的深度范围控制在3D～20D，其中D为MCP的每个电子倍增单元的孔径，并且镀膜深度≥1/tan(θ)，其中θ为电子倍增单元的斜切角。