[发明专利]铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法在审
申请号: | 202210533636.7 | 申请日: | 2022-05-17 |
公开(公告)号: | CN114864805A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 林铭;林逸彬;李柏森;潘威;黄俊铭 | 申请(专利权)人: | 林铭 |
主分类号: | H01L41/047 | 分类号: | H01L41/047;H01L41/113;H01L41/29;H02N2/18 |
代理公司: | 福州智理专利代理有限公司 35208 | 代理人: | 康永辉 |
地址: | 350000 福建省福州市仓山*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铟铁凸点微晶 材料 压电 制备 方法 | ||
1.铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法, 其特征在于: 本发明的铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法,是在厚度小于4mm的工业纯铁或钢或含铁超过40%( Wt%)合金材料表面,设一含铟超过50%( Wt%)且含铁超过10%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%)的复合材料层,在复合材料层表面设有许多个凸点微晶,每个凸点微晶高度不大于100nm、直径不大于100nm的顶部为球状或近似球状,或凸点微晶高度不大于100nm的近似椭圆、椭圆最大长度不超过200nm的顶部为球状或近似球状或近似椭圆状,凸点微晶含铟超过50%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%),凸点微晶与复合材料层成为一体;零件表面复合材料层和基体材料成为一体,形成铟铁凸点微晶材料。
2.根据权利要求1所述的铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法,其特征在于:所述的凸点微晶的形状和尺寸可以变化。
3. 根据权利要求1所述的铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法,其特征在于:本发明的铟铁凸点微晶材料及铟铁凸点微晶压电盘制备方法是在压电盘零件表面设一含铟超过50%( Wt%)且含铁超过10%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%)的复合材料层,在复合材料层表面设有许多个凸点微晶,每个凸点微晶高度不大于100nm、直径不大于100nm的顶部为球状或近似球状,或凸点微晶高度不大于100nm的近似椭圆、椭圆最大长度不超过200nm的顶部为球状或近似球状或近似椭圆状,凸点微晶含铟超过50%( Wt%)且含铟和铁共超过70%( Wt%),凸点微晶与复合材料层成为一体;零件表面复合材料层和基体材料成为一体;去除各小孔附着的材料层,形成铟铁凸点微晶压电盘。
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