[发明专利]一种弯曲性能良好电极箔的制备方法

说明书

本发明涉及弯曲性能良好电极箔的制备方法，步骤如下：腐蚀箔的制备；将腐蚀箔浸于含有N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐的一次化成液中，微电流下进行化成，制成一级化成箔；将一级化成箔浸于含有超量缓蚀剂的二次化成液中，制成二级化成箔；对二级化成箔进行水洗，且烘干处理；经冷却后，即得电极箔成品。在一次化成阶段，N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐产生同离子协同效应使得一级化成液在腐蚀箔表面形成均匀的双电层，使得腐蚀从蚀刻坑中均匀铺展开，从而使得腐蚀反应得以匀速进行，进而有效地减少了残芯过度腐蚀现象，使得成品电极箔的弯曲性能得到大幅度地提升。

技术领域

本发明涉及电极箔制造技术领域，尤其是一种弯曲性能良好电极箔的制备方法。

背景技术

随着国家限电节电政策的推广，工业生产节约用电势在必行。由于其低耗电量特性，以化学腐蚀为主的化学机生产工艺方式在业内被不断研发。现有化学机工艺方式主要包括以下步骤：1）加电发孔槽中，微电流发孔腐蚀；2）加电扩孔槽中，微电流扩孔腐蚀；3）非加电扩孔槽中，多级纯化学扩孔腐蚀。该套工艺具有省电、容量高，酸域宽广易调节的优点。然而，所制备出腐蚀箔的弯折强度不高，弯折次数普遍低于50次，未能满足行业制定的优品标准。

另外，用作对铝箔执行化学腐蚀的化学机扩孔槽液（以盐酸作为腐蚀扩孔液为例）具有较高的电导率。根据公式σ = neμ，其中σ为电导率，n为载流子密度，e为电子电荷，μ为迁移率。当加电扩孔槽通电时，槽液内H⁺与Cl^-迁移率高，更加活泼，极易导致在腐蚀箔内部产生大量的支孔，势必会影响到电极箔的电学性能和弯曲强度。即便在腐蚀扩孔液中增入缓蚀剂，亦仅能减缓腐蚀箔表面局部表面的腐蚀进程，支孔现象依旧难以消除。且如图1中所示，在后续纯化学腐蚀过程中，易被盐酸腐蚀出贯穿孔产生薄弱点，势必会进一步降低成品电极箔的弯曲强度（具体表现为额定加载力作用下折弯次数不能满足质量验收要求），因而，亟待技术人员解决上述问题。

发明内容

故，本发明设计人员鉴于上述现有的问题以及缺陷，乃搜集相关资料，经由多方的评估及考量，并经过从事于此行业的多年研发经验技术人员的不断实验以及修改，最终导致该弯曲性能良好电极箔的制备方法的出现。

为了解决上述技术问题，本发明涉及了一种弯曲性能良好电极箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、腐蚀箔的制备；取纯度不低于99.9%的铝箔浸入腐蚀酸液中，对其表面进行腐蚀；

S2、将步骤S1所得腐蚀箔浸于温度控制在75～85℃以上的、含有N-丁基-N-甲基哌啶双 (三氟甲烷磺酰)亚胺盐的一次化成液中，0.05～0.1 A/cm²微电流下进行化成，且时长控制在60～90s，制成一级化成箔；

S3、将步骤S2得到的一级化成箔浸于温度控制在75-85℃以上的、含有超量缓蚀剂的二次化成液中，且时长控制在6～8min，制成二级化成箔；

S4、对步骤S3中所得二级化成箔执行水洗操作，且冲洗时长不少于2min；

S5、将经步骤S4处理后的二级化成箔置于烘箱内进行烘干处理，温度控制在480～520℃，且时长控制在40～60s；

S6、将经步骤S5处理后的二级化成箔置于真空环境或惰性气体氛围中自然冷却，即得电极箔成品。

作为本发明所公开技术方案的进一步改进，在步骤S2中，所用一次化成液为含有体积百分比浓度为1.5～2%盐酸、体积百分比浓度为0.01～0.02%缓蚀剂和体积百分比浓度为1～1.6% N-丁基-N-甲基哌啶双 (三氟甲烷磺酰)亚胺盐的混合溶液。

作为本发明所公开技术方案的进一步改进，在步骤S3中，所用二次化成液为含有体积百分比浓度为1.5～2%盐酸和体积百分比浓度为0.1～0.15%缓蚀剂的混合液。