[发明专利]扇出型封装结构和扇出型封装方法

权利要求书

1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括封装元件、塑封体、第一介质层和第二介质层，同一所述封装元件上设有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘的高度低于所述第二焊盘的高度，所述塑封体塑封所述封装元件，且所述第一焊盘的端面从所述塑封体表面露出，所述第一焊盘远离所述封装元件的一侧设有第一布线层，所述第一布线层与所述第一焊盘电连接，所述第一布线层上设有第一焊球；

所述第一介质层设于所述第一布线层远离所述封装元件的一侧，所述第二焊盘的端面从所述第一介质层表面露出，所述第二焊盘远离所述封装元件的一侧设有第二布线层，所述第二焊盘与所述第二布线层电连接；所述第二布线层上设有第二焊球；所述第二布线层远离所述第一布线层的一侧设有第二介质层。

2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一介质层上开设第一电镀槽，所述第一电镀槽内设置第一凸块，所述第一凸块与所述第一布线层电连接，所述第一焊球设于所述第一凸块上。

3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二介质层上开设第二电镀槽，所述第二电镀槽内设置第二凸块，所述第二凸块与所述第二布线层电连接，所述第二焊球设于所述第二凸块上。

4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球的直径大于所述第二焊球的直径。

5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球的高度等于所述第二焊球的高度与所述第二介质层的高度之和。

6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二焊盘采用接地焊盘或屏蔽焊盘。

7.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球部分埋设在所述第二介质层内。

8.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二介质层开设第三电镀槽，所述第三电镀槽内设有第三凸块，所述第三凸块与所述第一布线层连接，所述第一焊球与所述第三凸块连接。

9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球和所述第二焊球的尺寸相等。

10.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一焊球电性连接。

11.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设于相邻的所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，或者设于相邻的两个所述第二焊盘之间，所述第一缓冲层的热膨胀系数小于所述塑封体的热膨胀系数。

12.根据权利要求11所述的扇出型封装结构，其特征在于，若所述第一缓冲层设于相邻的所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，则所述第一缓冲层采用绝缘材料；若所述第一缓冲层设于相邻的两个所述第二焊盘之间，则所述第一缓冲层采用绝缘材料或导电材料。

13.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括倒装芯片，所述倒装芯片设于所述第一布线层上，且与所述第一布线层电连接。

14.根据权利要求13所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一布线层上设有第三焊盘，所述倒装芯片设于所述第三焊盘上。

15.根据权利要求13所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述封装元件包括间隔设置的第一芯片、第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片间隔设置，所述倒装芯片通过所述第一芯片和/或所述第二芯片以实现与所述第二布线层连接，采用所述第二布线层作为接地线路。