[发明专利]一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片

说明书

本申请提供了一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片，涉及半导体工艺技术领域。首先基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属，再将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在连接金属的侧壁形成保护层，其中，保护层用于抑制在焊接时焊接金属向连接金属扩散。本申请提供的芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片具有焊接后性能更好的优点。

技术领域

本申请涉及半导体工艺技术领域，具体而言，涉及一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片。

背景技术

铜柱凸块(Copper Pillar Bump)技术是在覆晶封装芯片的表面制作焊接凸块，使其具备较佳的导电、导热和抗电子迁移能力的功能。采用铜柱凸块覆晶封装代替传统的打线封装，可以缩短连接电路的长度，以减小芯片封装面积的体积，实现微型化，并减少芯片系统寄生电容的干扰、电阻发热额和信号延迟等缺点，提高了芯片封装模组性能。

然而，现有技术中，在将制作完成的芯片与载板焊接时，会有大量的焊料在电镀铜柱上进行扩散，这会导致载板与铜柱间的焊料短少，在严重扩散下，会使得焊料不足造成连接处开裂，进而导致整个芯片失效。

综上，现有技术中在焊接芯片时，存在焊料会向电镀铜柱扩散，导致芯片失效的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片，以解决现有技术中在焊接芯片时，存在焊料会向电镀铜柱扩散，导致芯片失效的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种芯片制作方法，所述芯片制作方法包括：

基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属；

将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在所述连接金属的侧壁形成保护层，其中，所述保护层用于抑制在焊接时所述焊接金属向所述连接金属扩散。

可选地，将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在所述连接金属的侧壁形成保护层的步骤包括：

将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于100~200℃，0X≤10%，90%≤Y＜100%）的环境中烘烤1~120min，以在所述连接金属的侧壁形成氮化物保护层，其中，X表示氧气含量，Y表示氮气含量。

可选地，在将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在所述连接金属的侧壁形成保护层的步骤之后，所述方法还包括：

对所述焊接金属进行回流焊，以使所述焊接金属的端部形成球体。

可选地，基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属的步骤包括：

基于所述芯片主体的表面涂布光刻胶；

基于光刻胶制作电镀孔；其中，所述电镀孔的底部露出所述芯片主体，且所述电镀孔的位置与所述芯片主体的电极位置对应；

沿所述电镀孔制作连接金属后再制作焊接金属。

可选地，基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属的步骤包括：

基于芯片主体的电极制作铜柱，以形成连接金属；

沿所述连接金属的表面制作锡银合金或锡，以形成焊接金属。

可选地，所述芯片主体的表面包括金属层，在基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属的步骤之后，所述方法还包括：

将位于电极以外区域的金属层去除。

第二方面，本申请实施例还提供了一种芯片连接方法，所述芯片连接方法包括：

将芯片的焊接金属与载板热压融合，其中，所述芯片采用上述的芯片制作方法制作而成。