[发明专利]半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器和存储系统

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上依次形成第一堆叠结构以及第二堆叠结构；以及，

以所述第一堆叠结构为停止层，形成沿第一方向穿过所述第二堆叠结构并延伸至所述第一堆叠结构中的沟道结构；

其中，在刻蚀所述第二堆叠结构的环境下，所述第一堆叠结构具有第一刻蚀速率，所述第二堆叠结构具有第二刻蚀速率，所述第一刻蚀速率不大于所述第二刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一堆叠结构以及所述第二堆叠结构的材料相同。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一堆叠结构包括多个第一绝缘层和多个第一牺牲层，所述第二堆叠结构包括多个第二绝缘层和多个第二牺牲层，其中：

所述第一绝缘层和所述第一牺牲层具有第一厚度，所述第二绝缘层和所述第二牺牲层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述以所述第一堆叠结构为停止层，形成沿第一方向穿过所述第二堆叠结构并延伸至所述第一堆叠结构中的沟道结构的步骤之后，还包括：

形成沿所述第一方向在所述第二堆叠结构中延伸的栅缝隙开口；以及，

将所述第二堆叠结构的多个第二牺牲层置换为多个栅极层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述将所述第二堆叠结构的多个第二牺牲层置换为多个栅极层的步骤之后，还包括：

去除所述衬底和所述第一堆叠结构；以及，

在所述第二堆叠结构上形成共源极层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构具有交界面，所述栅缝隙开口沿所述第一方向延伸至所述第一堆叠结构或所述衬底，在所述将所述第二堆叠结构的多个第二牺牲层置换为多个栅极层的步骤之前，还包括：

在所述栅缝隙开口中形成保护结构，其中，所述保护结构具有顶面，所述顶面与所述交界面切齐。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二堆叠结构上形成共源极层的步骤之前，还包括：

去除所述保护结构。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构具有交界面，所述栅缝隙开口沿所述第一方向延伸至所述第一堆叠结构或所述衬底，在所述将所述第二堆叠结构的多个第二牺牲层置换为多个栅极层的步骤之前，还包括：

在所述栅缝隙开口中形成保护结构，其中，所述保护结构具有顶面，所述顶面高于所述交界面。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二堆叠结构上形成共源极层的步骤之前，还包括：

去除所述保护结构以及位于所述顶面和所述交界面之间的所述第二堆叠结构。

10.根据权利要求6或8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅缝隙开口中形成保护结构的步骤，具体包括：

在所述栅缝隙开口的底部和侧壁沉积介质材料，以形成保护结构。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅缝隙开口的底部和侧壁沉积介质材料，以形成保护结构的步骤之后，还包括：

以酸性液体清洗所述侧壁，以去除所述侧壁上的所述介质材料。

12.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构具有交界面，所述栅缝隙开口具有底面，所述底面与所述交界面切齐。

13.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一堆叠结构和所述第二堆叠结构具有交界面，所述栅缝隙开口具有底面，所述底面高于所述交界面。