[发明专利]触控屏盖板及其制造方法、显示屏、电子设备有效
申请号: | 202210542309.8 | 申请日: | 2022-05-18 |
公开(公告)号: | CN115023073B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 白思航;史学文;龙浩晖;张立;唐涛 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H05K5/02 | 分类号: | H05K5/02;H05K5/03;G06F3/041 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 张月婷 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触控屏 盖板 及其 制造 方法 显示屏 电子设备 | ||
1.一种触控屏盖板,其特征在于,所述触控屏盖板包括基材层、第一抗静电层、第一过渡层、第二抗静电层、第二过渡层和抗指纹层,其中:
所述第一抗静电层位于所述基材层的第一表面上;
所述第一过渡层位于所述第一抗静电层的远离所述基材层的表面上;
所述第二抗静电层位于所述第一过渡层的远离所述第一抗静电层的表面上;
所述第二过渡层位于所述第二抗静电层的远离所述第一过渡层的表面上;
所述抗指纹层位于所述第二过渡层的远离所述第二抗静电层的表面上。
2.根据权利要求1所述的触控屏盖板,其特征在于,所述第一过渡层用于增大所述触控屏盖板的阻值,并提高所述第二抗静电层的阻值稳定性;所述第二抗静电层用于降低所述触控屏盖板表面的摩擦电压。
3.根据权利要求1或2所述的触控屏盖板,其特征在于,所述第一过渡层或者所述第二过渡层包括层叠的氧化硅SiO层和氮化硅SiN层。
4.根据权利要求1或2所述的触控屏盖板,其特征在于,所述第一过渡层或者所述第二过渡层包括SiO层或者氮氧化硅SiON层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的触控屏盖板,其特征在于,所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层包括复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅。
6.根据权利要求5所述的触控屏盖板,其特征在于,所述复合型导电高分子、笼型倍半硅氧烷、硅树脂或者生物活性有机硅在所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层中的成分占比为1%至30%。
7.根据权利要求5或6所述的触控屏盖板,其特征在于,所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层还包括聚酯材料。
8.根据权利要求1-4任一项所述的触控屏盖板,其特征在于,所述第一抗静电层或者所述第二抗静电层包括至少一种金属氧化物。
9.根据权利要求1-8任一项所述的触控屏盖板,其特征在于,所述基材层包括玻璃基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、透明聚酰亚胺CPI、热塑性聚氨酯弹性体TPU或者超薄玻璃UTG。
10.一种触控屏盖板,其特征在于,所述触控屏盖板包括基材层和抗静电层,其中:
所述抗静电层位于所述基材层的第一表面上,所述抗静电层包括笼型倍半硅氧烷,且所述笼型倍半硅氧烷的至少一个R基中引入含氟F基团,所述含氟F基团用于调整所述触控屏盖板表面的接触角以实现抗指纹。
11.根据权利要求10所述的触控屏盖板,其特征在于,所述含氟F基团为全氟F基团。
12.根据权利要求10或11所述的触控屏盖板,其特征在于,所述抗静电层的厚度为1微米至20微米。
13.根据权利要求10-12任一项所述的触控屏盖板,其特征在于,所述笼型倍半硅氧烷在所述抗静电层中的成分占比为1%-30%。
14.根据权利要求10-13任一项所述的触控屏盖板,其特征在于,所述抗静电层还包括聚酯材料。
15.根据权利要求10-14任一项所述的触控屏盖板,其特征在于,所述基材层包括玻璃基材、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、透明聚酰亚胺CPI、热塑性聚氨酯弹性体TPU或者超薄玻璃UTG。
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