[发明专利]功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件(1)，包括：

-半导体本体(10)，其具有前侧(10-1)和背侧(10-2)；

-耦合到前侧(10-1)的第一负载端子结构(11)以及耦合到背侧(10-2)的第二负载端子结构(12)；

-半导体本体(10)的有源区域(15)，其被配置用于传导在第一负载端子结构(11)和第二负载端子结构(12)之间的负载电流；

-半导体本体(10)的漂移区(100)，漂移区(100)具有第一导电类型并且被配置用于传导负载电流；

-半导体本体(10)的背侧区(17)，背侧区(17)被布置在背侧(10-1)处并且在有源区域(15)内部包括第一背侧发射极区带(171)和第二背侧发射极区带(172)，

○其中第一背侧发射极区带(171)被布置在有源区域(15)内，与第二背侧发射极区带(172)相比具有更大的到有源区域(15)的外边界的距离；

○其中第一背侧发射极区带(171)包括多个第一区段(171-1、172-1)，每个第一区段包括第二导电类型的至少一个第一区(1711、1721)，第一区(1711、1721)被布置成与第二负载端子结构(12)接触；以及

○其中第二背侧发射极区带(172)包括多个第二区段(171-2、172-2)，每个第二区段包括第二导电类型的至少一个第二区(1712、1722)，第二区(1712、1722)被布置成与第二负载端子结构(12)接触；

○其中在第一背侧发射极区带(171)和第二背侧发射极区带(172)中，限定沿着至少第一横向方向(X)的晶格常数的间距(P)至少本质上相等；

-其中第一背侧发射极区带(171)不同于第二背侧发射极区带(172)之处在于第一区段(171-1、172-1)的最小横向延伸(x1、x2)大于第二区段(171-2、172-2)的最小横向延伸(x1'、x2')。

2.一种功率半导体器件(1)，包括：

-半导体本体(10)，其具有前侧(10-1)和背侧(10-2)；

-耦合到前侧(10-1)的第一负载端子结构(11)以及耦合到背侧(10-2)的第二负载端子结构(12)；

-半导体本体(10)的有源区域(15)，其被配置用于传导在第一负载端子结构(11)和第二负载端子结构(12)之间的负载电流；

-半导体本体(10)的漂移区(100)，漂移区(100)具有第一导电类型并且被配置用于传导负载电流；

-半导体本体(10)的背侧区(17)，背侧区(17)被布置在背侧(10-1)处，并且在有源区域(15)内部包括第二背侧发射极区带(172)，

○其中第二背侧发射极区带(172)包括多个第二区段(171-2、172-2)，每个第二区段包括第二导电类型的至少一个第二区(1712、1722)，第二区(1712、1722)被布置成与第二负载端子结构(12)接触并且每个第二区具有最小横向延伸(x100-x104)；

○其中沿着假想线(L1)，对于至少三个邻近的第二区段(171-2、172-2)而言，它们的最小横向延伸(x100-x104)严格地单调增加。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件(1)，其中第二区段(171-2、172-2)是根据具有限定沿着至少第一横向方向(X)的晶格常数的间距(P)的晶格布置的，其中对于沿着假想线(L1)的所述至少三个邻近的第二区(1712、1722)而言间距(P)是至少本质上恒定的。

4.根据权利要求2或3之一所述的功率半导体器件(1)，其中对于所述至少三个邻近的第二区(1712、1722)而言，它们的最小横向延伸(x100-x104)随着到有源区域(15)的外边界的距离增加而增加。

5.根据前述权利要求之一所述的功率半导体器件(1)，其中第一背侧发射极区带(171)和第二背侧发射极区带(172)中的每个的面积延伸达到有源区域(15)的至少5%或者甚至至少10%。