[发明专利]存储装置、存储控制器以及存储控制器的操作方法

说明书

提供了一种存储装置、存储控制器以及存储控制器的操作方法，所述存储装置包括：非易失性存储器，包括多个存储器块；和存储控制器，包括历史缓冲器，历史缓冲器包括与所述多个存储器块对应的多个历史读取电平存储区域。存储控制器在存储装置的运行时间期间基于所述多个存储器块的可靠性来动态地调整分配给所述多个存储器块中的一个或多个存储器块的历史读取电平存储区域的数量。存储控制器增加分配给所述多个存储器块之中的第一存储器块的历史读取电平存储区域的数量，第一存储器块相对于所述多个存储器块中的其余存储器块的可靠性具有相对低的可靠性。

本申请基于并要求于2021年8月31日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0115702号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及存储器装置，并且更具体地，涉及存储控制器、包括存储控制器的存储装置以及存储控制器的操作方法。

背景技术

作为非易失性存储器，即使当断电时，闪存也可保留存储的数据。最近，包括闪存(诸如，嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)和存储卡)的存储装置已被广泛使用，并且存储装置用于存储或移动大量数据。存在对能够提高存储装置的性能和可靠性的方法和设备的持续需求。

发明内容

一个方面提供一种能够通过动态地调整存储历史读取电平或历史读取电平偏移的历史缓冲器来提高读取可靠性和性能的存储装置、存储控制器以及存储控制器的操作方法。

根据一个或多个实施例的一个方面，提供了一种存储装置，包括：非易失性存储器，包括多个存储器块；和存储控制器，包括历史缓冲器，历史缓冲器包括与所述多个存储器块对应的多个历史读取电平存储区域，存储控制器被配置为在所述存储装置的运行时间期间基于所述多个存储器块的可靠性来动态地调整分配给所述多个存储器块中的至少一个存储器块的所述多个历史读取电平存储区域的数量，其中，存储控制器被配置为：增加分配给所述多个存储器块中的第一存储器块的历史读取电平存储区域的数量，第一存储器块相对于所述多个存储器块之中的其余存储器块的可靠性具有相对低的可靠性。

根据一个或多个实施例的另一方面，提供了一种包括历史缓冲器的存储控制器的操作方法，所述操作方法包括：将包括在历史缓冲器中的多个历史读取电平存储区域分别分配给包括在非易失性存储器中的多个存储器块；和基于所述多个存储器块的可靠性执行历史缓冲器控制操作，历史缓冲器控制操作用于动态地调整分配给所述多个存储器块中的至少一个存储器块的历史读取电平存储区域的数量，其中，历史缓冲器控制操作包括：当所述多个存储器块之中的第一存储器块的可靠性大于第一阈值时，回收分配给第一存储器块的历史读取电平存储区域；和当第一存储器块的可靠性等于或小于第二阈值时，将附加历史读取电平存储区域分配给第一存储器块，第二阈值小于第一阈值。

根据一个或多个实施例的另一方面，提供了一种被配置为控制非易失性存储器的存储控制器，所述存储控制器包括：主机接口，被配置为与主机通信；非易失性存储器接口，被配置为与非易失性存储器通信；历史缓冲器，包括与包括在非易失性存储器中的多个存储器块对应的多个历史读取电平存储区域；块可靠性检测器，被配置为检测所述多个存储器块的可靠性；和历史缓冲器控制器，被配置为：基于可靠性动态地调整分配给所述多个存储器块中的至少一个存储器块的历史读取电平存储区域的数量。

附图说明

根据下面的结合附图的详细描述，将更清楚地理解实施例，其中：

图1是根据实施例的存储系统的框图；

图2A示出根据图1的存储系统的非易失性存储器中包括的存储器单元的劣化的分布变化的示例，图2B示出根据实施例的与图2A的分布变化对应的历史缓冲器的示例，并且图2C示出根据实施例的与图2A的分布变化对应的历史缓冲器的另一示例；