[发明专利]提高发光与制备效率的发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种提高发光与制备效率的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层生长多量子阱层，所述多量子阱层包括交替层叠的垒层与InGaN阱层，所述垒层的材料为镓氮化合物；

在所述多量子阱层上生长p型GaN层；

生长所述垒层，包括：

向反应腔通入第一有机金属源与第一反应气体生长第一子层，所述第一有机金属源包括三甲基镓，所述第一反应气体包括氢气、氨气与氮气；

向所述反应腔通入第二有机金属源与第二反应气体以在所述第一子层上生长第二子层，所述第二有机金属源包括三乙基镓，所述第一子层的材料与所述第二子层的材料相同。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氢气的体积为所述第一反应气体体积的5％～20％。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二反应气体包括氮气与氨气，所述第二反应气体中的氮气体积占所述第二反应气体的总体积的40～60％。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的厚度为1～5nm，所述第二子层的厚度为0.5～1nm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层掺有Si元素。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层中Si元素的掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3。

8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述多量子阱层包括交替层叠的垒层与InGaN阱层及每个所述垒层与所述InGaN阱层之间的InN牺牲层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为0.1～2nm。

10.一种提高发光与制备效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述提高发光与制备效率的发光二极管外延片采用如权利要求1～9任一项所述的提高发光与制备效率的发光二极管外延片的制备方法实现。