[发明专利]提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片

权利要求书

1.一种提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层生长多量子阱层，所述多量子阱层包括交替层叠的GaN垒层与InGaN阱层；

在所述多量子阱层上生长p型GaN层；

生长所述InGaN阱层，包括：

向反应腔通入流量线性增加至第一铟源阈值的铟源与流量由第一镓源阈值线性降低至第二镓源阈值的镓源，以生长所述InGaN阱层的第一阶段；

通入流量为所述第一铟源阈值的铟源与流量为所述第二镓源阈值的镓源，以生长所述InGaN阱层的第二阶段；

通入流量由所述第一铟源阈值线性增加至第二铟源阈值的所述铟源与流量为所述第二镓源阈值的镓源，以生长所述InGaN阱层的第三阶段；

通入流量为所述第二铟源阈值的所述铟源与流量由所述第二镓源阈值线性增加至所述第一镓源阈值的镓源，以生长所述InGaN阱层的第四阶段；

通入流量由所述第二铟源阈值线性降低至所述第一铟源阈值的所述铟源与流量由所述第一镓源阈值线性降低至所述第二镓源阈值的镓源，以生长所述InGaN阱层的第五阶段；

通入流量由所述第一铟源阈值线性降低至零的所述铟源与流量由所述第二镓源阈值线性增加至所述第一镓源阈值的镓源，以生长所述InGaN阱层的第六阶段。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一阶段的时长、所述第二阶段的时长、所述第三阶段的时长、所述第四阶段的时长、所述第五阶段的时长与所述第六阶段的时长均相等。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一阶段的时长为20～40s。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一阶段的流量变化速率的绝对值、所述第二阶段的流量变化速率的绝对值、所述第三阶段的流量变化速率的绝对值、所述第四阶段的流量变化速率的绝对值、所述第五阶段的流量变化速率的绝对值与所述第六阶段的流量变化速率的绝对值均相等，所述流量变化速率为流量随时间变化的速率。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一阶段的镓源流量变化速率为8～20mol/秒，所述第一阶段的铟源流量变化速率为15～75mol/秒。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一铟源阈值与所述第二铟源阈值之差为1000～3000sccm。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一铟源阈值为1000～2000sccm，所述第二铟源阈值为2000～4000sccm。

8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二镓源阈值与所述第一镓源阈值之差为100～600sccm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一镓源阈值为500～1000sccm，所述第二镓源阈值为200～400sccm。

10.一种提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述提高内量子效率的发光二极管外延片采用如权利要求1～9任一项所述的提高内量子效率的发光二极管外延片的制备方法实现。