[发明专利]一种高介电、高耐压的SrTiO3 有效
申请号: | 202210548173.1 | 申请日: | 2022-05-18 |
公开(公告)号: | CN114751736B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 洪涛;黄容;潘翔;李成宇;齐世顺 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C04B35/47 | 分类号: | C04B35/47;C04B35/622;H01G4/12 |
代理公司: | 合肥云道尔知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34230 | 代理人: | 常雅雅 |
地址: | 230000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高介电 耐压 srtio base sub | ||
1.一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法,其特征在于:所述绝缘骨架为Sr3Ti2O7,通过调节绝缘骨架的厚度得到不同介电常数和电阻值的介电陶瓷材料,所述调控方法具体包括以下步骤:
(1)制备SrTiO3稳定悬浮液;
(2)制备Sr3Ti2O7包覆SrTiO3复合粉体的前驱体:配置Sr(NO3)2溶液,使SrTiO3与Sr(NO3)2的摩尔比为100:1-100:5,在Sr(NO3)2溶液中加入络合剂,然后将加入络合剂的Sr(NO3)2溶液加入SrTiO3稳定悬浮液中,在恒温水浴中搅拌后室温下静置,然后滤去上清液,得到Sr3Ti2O7包覆SrTiO3复合粉体的前驱体;
(3)将前驱体进行干燥后在600-900℃煅烧1-2h,得到Sr3Ti2O7包覆SrTiO3复合粉体;
(4)Sr3Ti2O7包覆SrTiO3复合陶瓷半导化:将黏合剂与复合粉体进行研磨造粒,造粒完成后,将粉体压制成型,然后在1350-1400℃下通氮氢混合气完成Sr3Ti2O7包覆SrTiO3复合陶瓷晶粒的半导化。
2.根据权利要求1所述的一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法,其特征在于:所述步骤(1)中,采用曲拉通X-100作分散剂制备SrTiO3稳定悬浮液,在烧杯中加入SrTiO3粉体,倒入去离子水,使用玻璃棒搅拌初步分散SrTiO3粉体后加入分散剂继续搅拌2-5min,然后超声震荡20-40min。
3.根据权利要求1所述的一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法,其特征在于:所述步骤(2)中,络合剂为尿素,Sr(NO3)2与络合剂摩尔比为1:8-1:12。
4.根据权利要求1所述的一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法,其特征在于:所述步骤(2)中,恒温水浴的温度为20-70℃,搅拌时间为1-5h,室温静置时间为12-24h。
5.根据权利要求1所述的一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法,其特征在于:所述步骤(3)中,干燥温度为100-120℃,干燥时间为1-2h,煅烧温度为600℃,煅烧时间为2h。
6.根据权利要求1所述的一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法,其特征在于:所述步骤(4)中,黏合剂为聚乙烯醇,黏合剂与复合粉体的质量比为1:20-1:10。
7.根据权利要求1所述的一种高介电、高耐压的SrTiO3介电陶瓷的绝缘骨架调控方法,其特征在于:所述步骤(4)中,氮氢混合气中氮气和氢气的摩尔比值为9:1-9:2。
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