[发明专利]电介质组合物及层叠陶瓷电子部件在审
| 申请号： | 202210549685.X | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115403369A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 井口俊宏;末田有一郎;并木亮太 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622;C04B35/638;C04B41/89 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质 组合 层叠 陶瓷 电子 部件 | ||
【权利要求书】：
1.一种电介质组合物，其中，
具有：
电介质颗粒，其包含以ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分；以及
第一偏析，其至少含有Ba、P及O，
所述第一偏析中的Ba相对于Ti的摩尔比Ba/Ti为1.20以上。
2.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，
所述第一偏析的含有比例为0.007个/μm2以上且0.4个/μm2以下。
3.根据权利要求1或2所述的电介质组合物，其中，
所述第一偏析中的P相对于Si的摩尔比P/Si为2.5以上。
4.根据权利要求1或2所述的电介质组合物，其中，
所述第一偏析的平均粒径为0.05μm以上且0.50μm以下。
5.根据权利要求1或2所述的电介质组合物，其中，
还具有至少含有Si、稀土元素R及O的第二偏析。
6.根据权利要求5所述的电介质组合物，其中，
所述第二偏析中所含的稀土元素R为Y和/或Dy。
7.根据权利要求5所述的电介质组合物，其中，
将所述第一偏析的含有比例设为N1；将所述第二偏析的含有比例设为N2时，N2/N1为0.5以上且10以下，
其中，N1和N2的单位为个/μm2。
8.根据权利要求1或2所述的电介质组合物，其中，
所述钙钛矿型化合物为钛酸钡。
9.一种层叠陶瓷电子部件，其包含权利要求1～8中任一项所述的电介质组合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210549685.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：现实捕获装置
- 下一篇：基于错误事件结合预测性数据而调整控制策略
