[发明专利]一种perc电池的制绒工艺有效
申请号: | 202210551449.1 | 申请日: | 2022-05-21 |
公开(公告)号: | CN114883450B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 孙建;石剑;刘凯;蔡敬国;刘勇 | 申请(专利权)人: | 一道新能源科技(衢州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 浙江维创盈嘉专利代理有限公司 33477 | 代理人: | 龚子雄 |
地址: | 324022 浙江省衢州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 工艺 | ||
本发明涉及perc电池制绒技术领域,具体地说,涉及一种perc电池的制绒工艺。其包括如下步骤:将perc电池加入清洗槽中,加入氢氧化钠溶液,加热进行表面去损伤处理;制绒槽中加入制绒液进行预热,将使用的V型刀加入至次氯酸钠溶液中浸泡;将perc电池放置制绒槽上方,缓缓下降,进入制绒液的部分,采用浸泡后的V型刀进行机械摩擦开槽,直至perc电池完全进入制绒液中;通过V型刀对perc电池表面进行开槽,开槽过程中由制绒液对开槽面进行制绒,从而形成了机械制绒与化学制绒的结合,使得陷光效果提升,且制绒时间与普通化学制绒的时间相同,效果却大大增加。
技术领域
本发明涉及perc电池制绒技术领域,具体地说,涉及一种perc电池的制绒工艺。
背景技术
在太阳能晶硅电池的生产工艺中,硅片表面织构化是提高太阳能电池表面的光吸收从而提高其转换效率的重要手段之一,目前多晶硅太阳能电池工业化生产中普遍采用酸溶液体系制备多晶绒面,即采用HF和HNO3的混和溶液(HF∶HNO3∶H2O=3∶1∶10)对硅片表面进行腐蚀,由于酸溶液对硅表面的各向同性腐蚀,得到硅片表面的腐蚀坑,这种方式的制绒,使得硅表面陷光效果一般,为了进一步提升陷光效果,本发明将机械刻槽和化学制绒的方式进行了融合,在不增加制绒时间的条件下,制备出效果更好的perc电池。
发明内容
本发明的目的在于提供一种perc电池的制绒工艺,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,一方面,本发明提供一种perc电池的制绒工艺,包括如下步骤:
S1、将perc电池加入清洗槽中,加入氢氧化钠溶液,加热进行表面去损伤处理;
S2、制绒槽中加入制绒液进行预热,将使用的V型刀加入至次氯酸钠溶液中浸泡;
S3、将perc电池放置制绒槽上方,缓缓下降,进入制绒液的部分,采用浸泡后的V型刀进行机械摩擦开槽,直至perc电池完全进入制绒液中;V型刀的开槽深度为40-50um,每进行一次开槽,需要V型刀重新进入次氯酸钠溶液中浸泡,浸泡时间为5-10s;
S4、当perc电池制绒后取出,加入水洗槽中,通过去离子水清洗;
S5、水洗后进入密闭的风干箱,通过压缩空气进行风干即可。
作为本技术方案的进一步改进,所述S1中,氢氧化钠溶液的浓度为25%,清洗槽加热温度为84-86℃,该条件下的perc电池表面去损伤速度较快,效果较好。通过V型刀将次氯酸钠溶液带入至制绒槽中,在开槽面附近电离产生钠离子与次氯酸根,次氯酸根水解产生氢氧根,部分次氯酸钠水解产生次氯酸与氢离子,次氯酸电离产生次氯酸根,因此氢氧根不断增加,对开槽面的制绒效率进一步提高。
作为本技术方案的进一步改进,所述S2中,制绒液至少包括以下份量的原料:氢氧化钠10-15份、硅酸钠3-5份和异丙醇50-70份。
作为本技术方案的进一步改进,所述S2中,制绒液的预热温度为82-84℃,温度太低会导致绒面无法形成。
作为本技术方案的进一步改进,所述S2中,V型刀的浸泡时间为15-30min,其中次氯酸钠溶液浓度为15-17%。
作为本技术方案的进一步改进,所述S3中,当perc电池进行最后的开槽后,浸泡3-5min,然后倒转perc电池向上缓缓拉出,perc电池脱离制绒池的时间为1-2min,腐蚀时间不易过长,V型刀的开槽过程中,perc电池表面的腐蚀时间以到达20-25min,因此perc电池表面拥有足够的腐蚀时间。
作为本技术方案的进一步改进,所述S4中,水洗时间为3-5min。
作为本技术方案的进一步改进,所述S5中,风干温度为50-60℃。
与现有技术相比,本发明的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的