[发明专利]一种碳化硅生长装置及其坩埚保温结构在审
| 申请号： | 202210552279.9 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN115110150A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 林骞;余雅俊;占俊杰;徐良;刘建哲 | 申请（专利权）人： | 浙江富芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 张力 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市婺城区秋*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 装置 及其 坩埚 保温 结构 | ||
1.一种碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，包括：
保温垫，所述保温垫置于坩埚的下方，适于放置所述坩埚；
保温筒，所述保温筒两端开口，所述保温筒沿其轴向包括第一保温部和第二保温部，所述第一保温部的端部座设于所述保温垫上，并与所述坩埚下部的外壁贴合，所述第二保温部与所述坩埚上部的外壁形成上宽下窄的空腔；
保温盖，所述保温盖封堵于所述保温筒的上方，且底面与所述坩埚的顶面接触连接。
2.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述第一保温部的高度为所述坩埚高度的1/4-2/5。
3.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述第二保温部的内腔尺寸自与所述第一保温部连接的一端至另一端依次增加。
4.根据权利要求3所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述第二保温部的内壁与所述保温筒的轴向之间的夹角为2-8°。
5.根据权利要求4所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述保温筒的外壁面为圆柱面，所述第一保温部的内壁面为圆柱面，所述第二保温部的内壁面为锥面，所述第二保温部的锥面小头端与所述第一保温部的内壁面以台阶面过渡。
6.根据权利要求1所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述保温盖的中心设有与所述坩埚上端面对应的透气区，所述透气区为条形保温材料绕圈盘绕而成的盘状结构；和/或
所述保温垫的中部设有中心区，所述中心区位于所述坩埚的正投影处，并为条形保温材料圈盘绕而成的盘状结构。
7.根据权利要求6所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述保温垫的厚度为5-10cm。
8.根据权利要求6所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述保温盖于垂直厚度方向的截面呈T型，其窄端外壁与所述第二保温部的上端内壁贴合设置。
9.根据权利要求6-8中任意一项所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构，其特征在于，所述保温垫、所述保温筒和所述保温盖均采用石墨毡制成。
10.一种碳化硅生长装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任意一项所述的碳化硅生长装置的坩埚保温结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江富芯微电子科技有限公司，未经浙江富芯微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210552279.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效、耐迁移抗氧剂及其制备方法与应用
- 下一篇：一种光学测量系统
