[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 202210552964.1 | 申请日: | 2022-05-20 |
公开(公告)号: | CN115440694A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 奥西勅子;波多俊幸 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/49;H01L23/544;H02M7/00;H02P27/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
管芯焊盘;
半导体芯片,安装在所述管芯焊盘上;
多个引线,在平面图中沿着所述半导体芯片的第一侧布置;以及
多个连接构件,将所述半导体芯片与所述多个引线电连接,
其中所述半导体芯片包括:
栅极端子;
感测端子;以及
强制端子,包括位于所述栅极端子与所述感测端子之间的部分,以及
其中所述多个引线包括:
栅极端子引线,经由所述多个连接构件中的栅极端子连接构件与所述栅极端子电连接;
感测端子引线,经由所述多个连接构件中的感测端子连接构件与所述感测端子电连接;以及
强制端子引线,经由所述多个连接构件中的强制端子连接构件与所述强制端子电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述强制端子连接构件被形成为在第二方向上延伸的线性形状,所述第二方向垂直于所述第一侧延伸的第一方向。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述强制端子连接构件被形成为仅在第二方向上延伸的线性形状,所述第二方向垂直于所述第一侧延伸的第一方向。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述强制端子连接构件是由金和铜中的一种构成的导线。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,
其中所述栅极端子连接构件与所述栅极端子之间的接合点的数目为1个,
其中所述感测端子连接构件与所述感测端子之间的接合点的数目为1个,并且
其中所述强制端子连接构件与所述强制端子之间的接合点的数目为2个或更多个。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中所述强制端子连接构件的数目大于所述栅极端子连接构件和所述感测端子连接构件中的每项的数目。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述半导体器件被配置为能够使300A的电流流过。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述强制端子连接构件是由铝构成的带。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,
其中所述栅极端子连接构件与所述栅极端子之间的接合点的数目为1个,
其中所述感测端子连接构件与所述感测端子之间的接合点的数目为1个,并且
其中所述强制端子连接构件与所述强制端子之间的接合点的数目为2个或更多个。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中所述半导体器件被配置为能够使300A的电流流过。
11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述强制端子连接构件是由铜构成的夹片。
12.根据权利要求11所述的半导体器件,
其中所述栅极端子连接构件与所述栅极端子之间的接合点的数目为1个,
其中所述感测端子连接构件与所述感测端子之间的接合点的数目为1个,并且
其中所述强制端子连接构件与所述强制端子之间的接合点的数目为1个。
13.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述半导体器件被配置为能够使300A的电流流过。
14.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中功率MOSFET被形成在所述半导体芯片中,
其中所述感测端子是开尔文端子,并且
其中所述强制端子是源极端子。
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