[发明专利]一种OLED显示设备及其制造方法在审
| 申请号： | 202210553309.8 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114784210A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 史丽娜;王冲;尚潇;李龙杰;陈生琼;胡劲宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王玉璇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种OLED显示设备，其特征在于，包括：
OLED基底；
位于所述OLED基底之上的全反射镜层，其中，所述全反射镜层包括超表面结构，所述超表面结构为圆柱阵列纳米结构；
位于所述全反射镜层之上的平坦层；
位于所述平坦层之上的阳极；
位于所述阳极之上的发光层；
位于所述发光层之上的阴极；
位于所述阴极之上的覆盖层。
2.如权利要求1所述的OLED显示设备，其特征在于，所述全反射镜层还包括铝薄膜，所述铝薄膜位于所述OLED基底之上，所述超表面结构位于所述铝薄膜之上。
3.如权利要求1所述的OLED显示设备，其特征在于，所述圆柱阵列纳米结构呈表面等离激元共振的调制相位。
4.如权利要求1所述的OLED显示设备，其特征在于，所述圆柱阵列纳米结构包括多个圆柱阵列，所述多个圆柱阵列呈周期性排列，且所述多个圆柱阵列中的每个圆柱阵列为正方形阵列。
5.如权利要求4所述的OLED显示设备，其特征在于，所述每个圆柱阵列包括多个圆柱体，所述圆柱体的直径范围为60纳米至100纳米。
6.如权利要求5所述的OLED显示设备，其特征在于，所述圆柱体的高度范围为40纳米至60纳米。
7.如权利要求5所述的OLED显示设备，其特征在于，在所述每个圆柱阵列中，相邻圆柱体的圆心之间的距离范围为175纳米至185纳米。
8.如权利要求1所述的OLED显示设备，其特征在于，所述阳极的材质包括：掺锡氧化铟。
9.如权利要求1所述的OLED显示设备，其特征在于，所述阴极的材质包括：银镁合金。
10.一种OLED显示设备的制造方法，其特征在于，包括：
在OLED基底之上形成全反射镜层，其中，所述全反射镜层包括超表面结构，所述超表面结构为圆柱阵列纳米结构；
在所述全反射镜层之上形成平坦层；
在所述平坦层之上形成阳极；
在所述阳极之上形成发光层；
在所述发光层之上形成阴极；
在所述阴极之上形成覆盖层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210553309.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种盐酸二甲双胍杂质的制备方法
- 下一篇：一种电热综合能源系统优化调度方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
