[发明专利]全介质偏振分束片及其制作方法

权利要求书

1.一种全介质偏振分束片，其特征在于，包括：

衬底(1)；

光栅层，形成在所述衬底(1)的一侧，并包括通过对多层非金属的介质层采用纳米压印工艺形成的多条相互平行的线栅，适用于对入射光进行偏振分光，以反射所述入射光的TE波，并透射所述入射光的TM波；

其中，每条所述线栅的多层介质层(2)在厚度方向按照高、低折射率交替形式周期性堆叠形成，所述入射光的波长在所述多层介质层(2)的滤光波长范围内。

2.根据权利要求1所述的全介质偏振分束片，其特征在于，所述光栅层的线栅的周期∧远小于所述入射光的波长。

3.根据权利要求1所述的全介质偏振分束片，其特征在于，所述多层介质层(2)堆叠的周期数介于2至20之间。

4.一种如权利要求1～3中任一项所述的全介质偏振分束片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底(1)上沉积多层介质层(2)；

在所述多层介质层(2)上沉积掩膜层(3)；

在所述掩膜层(3)上旋涂压印胶层(4)；

将压印模板(5)覆盖在所述压印胶层(4)上，将所述压印模板(5)的光栅图形转移到所述压印胶层(4)上，并去除所述压印模板(5)；

利用氧气灰化处理和湿法腐蚀法刻蚀所述掩膜层(3)；

利用反应等离子刻蚀法刻蚀所述多层介质层(2)，制作得到全介质的光栅层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在真空条件下利用化学气相沉积法在衬底(1)上沉积所述多层介质层(2)；

其中，所述多层介质层(2)在厚度方向按照高、低折射率交替形式周期性堆叠形成。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底(1)上形成包括2种或3种按照高、低折射率交替形式周期性堆叠的介质材料的多层介质层(2)。

7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，利用等离子体化学气相沉积法在所述多层介质层(2)上沉积所述掩膜层(3)；

所述掩膜层(3)为非晶碳薄膜，厚度为50～100nm。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，利用氧气灰化处理和湿法腐蚀法刻蚀所述掩膜层(3)包括：

利用氧气灰化处理和湿法腐蚀液去除未被压印胶覆盖的掩膜层，保留被压印胶覆盖的掩膜层。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，利用反应等离子刻蚀法刻蚀所述多层介质层(2)包括：

去除未被掩膜层覆盖的多层介质层，保留被掩膜层覆盖的多层介质层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述多层介质层(2)完成后，去除所述掩膜层(3)；

所述去除所述掩膜层(3)包括利用等离子体灰化处理法去除所述非晶碳薄膜。