[发明专利]用于晶体生长炉的加热器组件及其控制方法、晶体生长炉

说明书

本发明公开了一种用于晶体生长炉的加热器组件及其控制方法、晶体生长炉，晶体生长炉包括炉体和坩埚，坩埚设在炉体内，加热器组件设在炉体内，且包括多个固定加热器和多个活动加热器，固定加热器适于围绕坩埚设置，多个活动加热器沿固定加热器的径向依次设置，且多个活动加热器和多个固定加热器沿固定加热器的径向交替设置，每个活动加热器可沿固定加热器的轴向相对于固定加热器在第一高度位置和第二高度位置之间上下移动。根据本发明的用于晶体生长炉的加热器组件，可以调整对坩埚轴向上不同区域输出的加热功率，满足了晶体生长炉的不同的热场需求。

技术领域

本发明涉及单晶硅生产设备领域领域，尤其是涉及一种用于晶体生长炉的加热器组件及其控制方法、晶体生长炉。

背景技术

晶体生长炉内设有加热器以在炉体内形成热场，热场是否合理对单晶硅的质量有很大影响。

相关技术中，坩埚的外侧设有环形的加热器，以利用加热器对坩埚内的硅料进行加热；当需要调节对坩埚的加热功率时，仅能通过调节加热器的整体输出功率来实现，使得对坩埚的加热功率调节受限，无法满足实际差异化需求。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种用于晶体生长炉的加热器组件，所述加热器组件可以调整对坩埚轴向上不同区域输出的加热功率，满足了晶体生长炉的不同的热场需求。

本发明还提出一种具有上述加热器组件的晶体生长炉。

本发明还提出一种上述加热器组件的控制方法。

根据本发明第一方面实施例用于晶体生长炉的的加热器组件，所述晶体生长炉包括炉体和坩埚，所述坩埚设在所述炉体内，所述加热器组件设在所述炉体内，且包括：多个固定加热器，所述固定加热器适于围绕所述坩埚设置；多个活动加热器，多个所述活动加热器沿所述固定加热器的径向依次设置，且多个所述活动加热器和多个所述固定加热器沿所述固定加热器的径向交替设置，每个所述活动加热器可沿所述固定加热器的轴向相对于所述固定加热器在第一高度位置和第二高度位置之间上下移动。

根据本发明实施例的用于晶体生长炉的加热器组件，设置多个固定加热器和多个活动加热器，并使得多个活动加热器可沿轴向上下移动，可以调整整个加热器组件在轴向上输出功率的分布；当加热器组件用于对坩埚进行加热时，可以调整加热器组件在坩埚的轴向上对坩埚加热功率的分布，以便于调整加热器组件向坩埚轴向上不同区域输出的加热功率，有利于根据晶体的生长需求形成不同的热场，以适应实际差异化需求。

在一些实施例中，所述加热器组件还包括：多个第一驱动机构，每个所述第一驱动机构连接在一个所述活动加热器的下端，以使多个所述活动加热器沿所述固定加热器的轴向分别独立移动。

在一些实施例中，所述加热器组件还包括：耐热传动件，所述耐热传动件连接在所述第一驱动机构与对应所述活动加热器之间。

在一些实施例中，在所述固定加热器的轴向上，所述固定加热器的长度大于所述活动加热器的长度，所述耐热传动件的长度大于等于所述固定加热器与所述活动加热器的长度差的最大值。

在一些实施例中，在所述第一高度位置，所述活动加热器的上端与所述固定加热器的上端齐平，在所述第二高度位置，所述活动加热器的下端与所述固定加热器的下端齐平。

在一些实施例中，所述活动加热器具有多个高度位置，多个所述高度位置包括所述第一高度位置、所述第二高度位置和所述第三高度位置，所述第三高度位置位于所述第一高度位置和所述第二高度位置之间，在所述固定加热器的纵截面上，多个所述高度位置的正投影不重叠。

在一些实施例中，所述活动加热器包括多个加热段和多个连接段，多个加热段沿所述固定加热器的周向间隔设置，相邻两个所述加热段通过所述连接段可拆卸相连。

在一些实施例中，至少一个所述活动加热器可沿所述固定加热器的周向相对于所述固定加热器转动。