[发明专利]一种全黑晶硅太阳能电池及其制备方法与光伏组件

权利要求书

1.一种全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

(1)PECVD法在硅片正面沉积膜层，所述膜层为层叠结构，所述膜层的包括最内层SiN_x层，所述最内层SiN_x层的厚度为25～50nm，所述最内层SiN_x层的折射率为2.8～3.4，得到正面镀膜硅片；

(2)对所得正面镀膜硅片进行背面PECVD和激光开槽，得到粗制硅太阳能电池；

(3)对所得粗制硅太阳能电池进行丝网印刷和电注入后，得到所述全黑晶硅太阳能电池；

所述丝网印刷的方法包括：装片开槽后，进行一道印刷并烘干，进行二道印刷并烘干，进行三道印刷并烘干，进行四道印刷并烘干，烧结，测试电池线宽后完成丝网印刷；其中，所述测试电池线宽的误差不超过5μm；所述四道印刷采用渐变线宽式网版进行挤压印刷；所述渐变线宽式网版的线宽由外向内呈梯度式减少。

2.根据权利要求1所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述膜层包括从内至外层叠设置的最内层SiN_x层、中间SiN_x层、SiO_xN_y层和SiO_x层。

3.根据权利要求1所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述膜层的最外层包括SiO_x层。

4.根据权利要求3所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述SiO_x层的厚度为20nm以上。

5.根据权利要求4所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述SiO_x层的厚度为20～40nm。

6.根据权利要求3所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述SiO_x层的折射率为1.45～1.55。

7.根据权利要求1-6任一项所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述沉积的方式包括如下步骤：

(a)抽真空后，在恒压条件下预通入硅烷和氨气；

(b)在硅片正面沉积最内层SiN_x层；

(c)在最内层SiN_x层上沉积中间SiN_x层，在中间SiN_x层上沉积SiO_xN_y层；

(d)抽真空后，在恒压条件下预通入硅烷和笑气；

(e)在SiO_xN_y层上沉积SiO_x层。

8.根据权利要求7所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(a)所述恒压的压力为200～250Pa。

9.根据权利要求7所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(a)所述预通入的时间为15～30s。

10.根据权利要求7所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(a)所述预通入硅烷的流量为2200～2500sccm。

11.根据权利要求7所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(a)所述预通入氨气的流量为9000～9300sccm。

12.根据权利要求7所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(a)所述预通入的温度为400～600℃。

13.根据权利要求7所述全黑晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(b)所述沉积的时间为60～80s。