[发明专利]一种交直流绝缘监测的小信号产生电路在审

专利信息
申请号: 202210561031.9 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114740319A 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 刘卫法;王增锡;芦祥;卢俊 申请(专利权)人: 南京基尔创电子科技有限公司
主分类号: G01R31/14 分类号: G01R31/14;G01R27/14
代理公司: 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人: 周理工
地址: 211100 江苏省南京市江宁区胜利路*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 直流 绝缘 监测 信号 产生 电路
【权利要求书】:

1.一种交直流绝缘监测的小信号产生电路,包括桥臂电阻(R)、绝缘电阻(Rf)、测量电阻(Rm)、第一电阻(R32)、第二电阻(R33)、第三电阻(R35)、第四电阻(R36)、第五电阻(R37)、第六电阻(R38)、第七电阻(R39)、第八电阻(R40)、第九电阻(R44)、第十电阻(R46)、小信号脉冲电源(Vp)、第一电容(C28)、第二电容(C30)、第三电容(C38)、第四电容(C43)、第一电池(U1)、第二电池(U2)、第一P-MOSFET(U6)、第一N-MOSFET(U7)、第二P-MOSFET(U8)、第二N-MOSFET(U9)、第一二极管(D9)、第二二极管(D10)、第三二极管(D11)和第四二极管(D12),所述其特征在于:所述第一电池(U1)和其中一个桥臂电阻(R)连接,所述第二电池(U2)和另一个桥臂电阻(R)连接,所述第一电池(U1)、第二电池(U2)均与绝缘电阻(Rf)连接,所述绝缘电阻(Rf)和小信号脉冲电源(Vp)连接,所述小信号脉冲电源(Vp)和测量电阻(Rm)连接,所述测量电阻(Rm)和两个桥臂电阻(R)连接,所述第一电阻(R32)和第一P-MOSFET(U6)连接,所述第一P-MOSFET(U6)和第三电阻(R35)连接,所述第三电阻(R35)和第一N-MOSFET(U7)连接,所述第一N-MOSFET(U7)和第五电阻(R37)连接,所述第五电阻(R37)和小信号脉冲电源(Vp)连接,所述第十电阻(R46)和第二N-MOSFET(U9)连接,所述第二N-MOSFET(U9)和第四电容(C43)连接,所述第二N-MOSFET(U9)和第八电阻(R40)连接,所述第八电阻(R40)和第二P-MOSFET(U8)连接,所述第二P-MOSFET(U8)和第六电阻(R38)连接,所述第六电阻(R38)和小信号脉冲电源(Vp)连接。

2.根据权利要求1所述的一种交直流绝缘监测的小信号产生电路,其特征在于:所述第一P-MOSFET(U6)和第一电容(C28)连接,所述第一P-MOSFET(U6)和第二电阻(R33)连接,所述第一电容(C28)和第二电阻(R33)均与第一电阻(R32)连接。

3.根据权利要求1所述的一种交直流绝缘监测的小信号产生电路,其特征在于:所述第三电阻(R35)和第二电容(C30)连接,所述第二电容(C30)和第一二极管(D9)连接,所述第一二极管(D9)和第一N-MOSFET(U7)连接。

4.根据权利要求1所述的一种交直流绝缘监测的小信号产生电路,其特征在于:所述第二N-MOSFET(U9)和第九电阻(R44)连接,所述第四电容(C43)和第九电阻(R44)均与第十电阻(R46)连接。

5.根据权利要求1所述的一种交直流绝缘监测的小信号产生电路,其特征在于:所述第二P-MOSFET(U8)和第四二极管(D12)连接,所述第四二极管(D12)和第三电容(C38)连接,所述第三电容(C38)和第七电阻(R39)连接,所述第七电阻(R39)和第二P-MOSFET(U8)连接。

6.根据权利要求1所述的一种交直流绝缘监测的小信号产生电路,其特征在于:所述小信号脉冲电源(Vp)和第二二极管(D10)连接,所述小信号脉冲电源(Vp)和第三二极管(D11)连接。

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