[发明专利]沟槽型MOSFET

权利要求书

1.一种沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管，即沟槽型MOSFET，包括：

半导体衬底；

布置在所述半导体衬底上的第一电荷类型的外延层，其中所述外延层形成有：

第一沟槽，在所述第一沟槽的内侧上覆盖有栅极氧化物并且所述第一沟槽填充有第一多晶硅体；

一对第二沟槽，其布置在所述第一沟槽的相对侧上，其中所述第二沟槽比所述第一沟槽深，并且其中每个第二沟槽在其内侧上覆盖有衬里氧化物并且每个第二沟槽填充有第二多晶硅体；

第一电荷类型的源极区；以及

第二电荷类型的主体区；

其中，所述外延层包括布置在所述主体区与所述衬底之间的所述第一电荷类型的漂移区；

其中，所述源极区和所述主体区各自形成在所述第一沟槽与所述第二沟槽中的每一个第二沟槽之间，并且其中所述主体区布置在所述源极区与所述漂移区之间；

其特征在于，所述沟槽型MOSFET还包括所述第一电荷类型的离子注入区，所述离子注入区形成在所述漂移区中，在所述第二沟槽下方延伸，并且与所述第二沟槽的基底垂直对准。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其中，所述离子注入区还靠近所述第二沟槽的基底在所述第二沟槽之间延伸。

3.根据权利要求1或2所述的沟槽型MOSFET，其中，所述离子注入区包括第一离子注入子区和第二离子注入子区，所述第一离子注入子区延伸远离所述一对第二沟槽中的一个第二沟槽，所述第二离子注入子区延伸远离所述一对第二沟槽中的另一个第二沟槽，其中所述第一离子注入子区和所述第二离子注入子区邻接，其中所述第一离子注入子区优选地包括第二电荷类型的掺杂剂，该第二电荷类型的掺杂剂已经通过所述一对第二沟槽中的所述一个第二沟槽的所述基底而被注入、并且横向扩散远离所述一对第二沟槽中的所述一个第二沟槽的所述基底，并且其中所述第二离子注入子区优选地包括第二电荷类型的掺杂剂，该第二电荷类型的掺杂剂已经通过所述一对第二沟槽中的所述另一个第二沟槽的所述基底而被注入、并且横向扩散远离所述一对第二沟槽中的所述另一个第二沟槽的所述基底。

4.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽型MOSFET，其中，所述离子注入区中的平均净掺杂剂浓度低于所述漂移区的剩余部分中的平均净掺杂剂浓度，并且/或者其中所述离子注入区外部的所述漂移区中的平均掺杂浓度是所述离子注入区中的平均掺杂浓度的至少5倍，更优选地是至少10倍。

5.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽型MOSFET，其中，在所述漂移区中形成的所述第一电荷类型的所述离子注入区在所述第二沟槽下方至少延伸到所述外延层和所述衬底之间的界面。

6.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽型MOSFET，其中，所述衬底包括所述第一电荷类型的硅衬底，其中所述第一电荷类型优选地为n型，并且所述第二电荷类型为p型。

7.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽型MOSFET，其中，所述源极区电连接至所述沟槽型MOSFET的源极触点，并且其中所述第一多晶硅体电连接至栅极触点，其中所述第二多晶硅体优选地电连接至所述源极触点。

8.根据前述权利要求中任一项所述的沟槽型MOSFET，包括平行布置的多个所述第一沟槽，所述多个第一沟槽中的每一个布置在相应的一对所述第二沟槽之间，其中所述第一沟槽中的所述第一多晶硅体彼此电连接，并且其中所述第二沟槽中的所述第二多晶硅体彼此电连接。