[发明专利]一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法

权利要求书

1.一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法，其特征在于：包括如下步骤：

第一步，材料预处理，采用常规离子氮化工艺，对材料进行预处理；

第二步，氮化工艺：

在0.9~1.0Tw条件下，Tw：最大渗氮温度，控制氮气和氢气稳定通入，炉内压力控制在300~6000Pa，BP单极脉冲偏压电源的输出电压为0~-1200V，频率范围为40~60kHz，离子氮化2.0~10.0h。

2.根据权利要求1所述的一种消除小孔打弧风险的离子氮化方法，其特征在于：所述氮化工艺参数调节过程：低气压升温阶段→充气阶段→快速渗氮阶段→抽气阶段→低气压升温阶段，如此周而复始，直至渗氮结束；具体过程如下：

（1）低气压时，电压升至最高点-1000~-1200 V，功率到达较高范围，工件温度逐渐升高，称为低气压升温阶段；

（2）温度达到最高点Tw后，迅速降压至-100~-200 V，同时开始快速充气，是充气阶段；

（3）气压至高点，充气完成，使电压调整至-350~-550 V，进入快速渗氮阶段；

（4）由于电源供给功率降低，工件温度缓慢降低，温度降至0.8~0.9 Tw后，迅速降压至-100~-200 V，开始快速抽气，进入抽气阶段；

（5）炉内气压抽到低气压，进入低气压升温阶段；

如此周而复始，直至渗氮结束。