[发明专利]上料机构、上料装置及干法电极膜制备装置

权利要求书

1.一种干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，包括：

壳体，所述壳体内部具有腔室，所述腔室内适于放置制备干法电极膜的物料，所述腔室上设有上料口和下料口，所述下料口位于所述腔室的下端；

匀料装置，用于将所述腔室内的物料分散开；

加热装置，所述加热装置设于所述壳体的外周壁或者设于所述腔室内，以用于对所述腔室内的物料加热至其蓬松化。

2.根据权利要求1所述的干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，所述加热装置为微波加热装置、电磁感应加热装置、红外加热装置或者热辐射加热装置。

3.根据权利要求2所述的干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，还包括温度调控系统，所述温度调控系统与所述加热装置通讯连接，所述温度调控系统用于调节所述加热装置的温度。

4.根据权利要求1所述的干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，所述匀料装置为搅拌分散装置，所述匀料装置设于所述腔室内。

5.根据权利要求4所述的干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，所述搅拌分散装置包括至少一个搅拌桨，所述搅拌桨为螺旋搅拌桨、弯月型搅拌桨或麻花型搅拌桨。

6.根据权利要求1所述的干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，所述匀料装置为气吹分散装置，所述匀料装置设于所述腔室内。

7.根据权利要求6所述的干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，所述气吹分散装置包括多个气吹嘴，多个所述气吹嘴间隔地设于所述腔室内。

8.根据权利要求1所述的干法电极膜制备装置的上料机构，其特征在于，所述下料口处设有下料阀，所述下料阀的开度可调。

9.一种干法电极膜制备装置的上料装置，其特征在于，包括：

上料机构，所述上料机构为根据权利要求1-8中任一项所述的上料机构；

输送通道，所述输送通道的一端与所述上料机构的下料口连接且连通；

振动机构，所述振动机构设于所述输送通道处。

10.根据权利要求9所述的干法电极膜制备装置的上料装置，其特征在于，所述振动机构位于所述输送通道的外周，

或者所述振动机构设于所述输送通道的进口位置处，或者所述振动机构设于所述输送通道的出口位置处。

11.根据权利要求9所述的干法电极膜制备装置的上料装置，其特征在于，所述振动机构与频率调节系统连接，所述频率调节系统用于调节所述振动机构的振动频率。

12.一种干法电极膜制备装置，其特征在于，包括：

上料装置，所述上料装置为根据权利要求9-11中任一项所述的上料装置；

辊压装置，所述辊压装置的进料口与所述上料装置的输送通道的另一端连通，物料通过所述输送通道进入所述辊压装置，以压制成干法电极膜。

13.根据权利要求12所述的干法电极膜制备装置，其特征在于，所述辊压装置包括多级轧辊，每级所述轧辊均具有辊压间隙。

14.根据权利要求12所述的干法电极膜制备装置，其特征在于，还包括加热件，所述加热件用于对所述辊压装置加热。