[发明专利]基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料，其特征在于，所述的相变薄膜材料是以锑作为靶材通过磁控溅射到所述PEEK柔性衬底上获得。

2.根据权利要求1所述的一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1)PEEK柔性衬底准备：将所述PEEK柔性衬底清洗，烘干，作为待溅射的基片，待用；

(2)磁控溅射准备：将Sb靶材安装于磁控溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，以高纯氩气作为溅射气体；

(3)靶材清洁：将空的基托转到Sb靶位，开启Sb靶上的射频电源，对Sb靶材表面进行溅射，用以去除Sb靶材表面杂质；

(4)磁控溅射制备基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜：将所述待溅射的基片置于基托上，然后将所述基托转到Sb靶位，溅射生成基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)PEEK柔性衬底准备：将所述PEEK柔性衬底先在丙酮溶液中超声清洗3-5分钟，接着用去离子水冲洗；再在乙醇溶液中继续超声清洗3-5分钟，用去离子水冲洗；然后用高纯氮气吹干；在烘箱中以110-120℃烘干15-30分钟。

4.根据权利要求2所述的一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)磁控溅射准备：其中：抽真空至4×10^-4Pa；所述高纯氩气的体积百分比≥99.999％，氩气气流量为25-30sccm，氩气溅射气压为0.15-0.45Pa。

5.根据权利要求2所述的一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)磁控溅射制备基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜：其中：磁控溅射采用射频电源的功率为25-35W，溅射时间为90-100秒，靶材溅射速率为1.90476s/nm。

6.根据权利要求2所述的一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)磁控溅射制备基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜：其中：锑靶的原子百分比的浓度大于99.999％、形状为圆柱形、直径为50.5mm、厚度为4mm。

7.根据权利要求1所述的一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料的应用，其特征在于，所述的基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料在柔性相变存储器中的应用。

8.根据权利要求7所述的一种基于PEEK柔性衬底的Sb相变薄膜材料的应用，其特征在于，所述柔性相变存储器的制备方法，包括如下步骤：

S1、PEEK柔性衬底和掩膜板准备：将所述PEEK柔性衬底和掩膜板清洗，烘干，待用；

S2、磁控溅射准备：将银靶材、Sb靶材和氮化钛靶材分别安装于磁控溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

S3、银靶材清洁：将空的基托转到银靶位，打开银靶上的射频电源，开始对银靶材表面进行溅射，用以去除银靶材表面氧化层；

S4、制备柔性相变存储器的底电极：将步骤S1清洗后PEEK柔性衬底置于基托上，然后将所述基托转到银靶位，溅射生成基于PEEK柔性衬底的相变存储器的底电极；

S5、锑靶材清洁：将空的基托转到Sb靶位，打开Sb靶上的射频电源，开始对Sb靶材表面进行溅射，用以去除Sb靶材表面杂质；

S6、制备柔性相变存储器的相变层：将步骤S1清洗后的所述掩膜板覆盖于所述底电极上，然后放置于基托上并转到Sb靶位，开启Sb靶位上的射频电源，在所述底电极上溅射形成相变层；

S7、氮化钛靶材清洁：将空的基托转到氮化钛靶位，打开氮化钛靶上的射频电源，开始对氮化钛靶材表面进行溅射，用以去除氮化钛靶材表面杂质；

S8、制备柔性相变存储器的顶电极：将已经溅射了底电极和相变层的PEEK柔性衬底置于基托上并转到氮化钛靶位，开启氮化钛靶位上的射频电源，溅射后得到顶电极，获得基于PEEK柔性衬底的柔性相变存储器。