[发明专利]一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路有效

专利信息
申请号: 202210565999.9 申请日: 2022-05-24
公开(公告)号: CN114661084B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 谭在超;陈朝勇;罗寅;张胜;丁国华 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 毕东峰
地址: 215600 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 极简高 可靠性 基准 产生 内部 电源 电路
【说明书】:

本发明提出一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路,属于集成电路技术领域,所述电路包括偏置电流产生模块,用于设置不同比例镜像给其它模块使用,运放跟随器和偏置电压产生模块,用于提供给其它模块做偏置,极简稳压模块,用于产生内部电源电压VDD,内部电源电压给运放跟随器及偏置的电压产生模块供电、偏置电流产生电路供电,省去了带隙基准电路和带隙基准电路的启动电路,采用一个极简的稳压电路代替带隙基准电路和带隙基准电路启动电路和内部电源产生电路,大大节省了面积,同时降低了设计难度,没有无法启动使带隙基准工作在简并点的风险,极大提高了电路的可靠性,可以很好的应用于对面积要求高的电路。

技术领域

本发明属于电源电路技术领域,具体涉及一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路。

背景技术

在集成电路设计领域中,电源管理和全桥驱动等领域。为了实现各模块电路功能,需要产生各种偏置电压和偏置电流,围绕这一需求各方提出了各种各样电路,不同电路各有特色,有的针对于高精度,有的针对于高电压,有的针对于高电源抑制比,有的针对于低功耗等,本专利提出一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路。但是传统技术有如下缺点:

1)传统技术包含启动电路、带隙基准、运算放大器、偏置电压产生电路、偏置电流产生电路,整体架构面积较大,电路设计相对复杂;

2)传统技术要充分考虑带隙基准简并点,设计良好的启动电路,否则电路有无法工作的风险;

3)传统技术带隙基准电路面积需要较大的三极管面积和较大的电阻面积,经济性不佳。

发明内容

为达到上述目的,本发明提出一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路,省去了带隙基准电路和带隙基准电路的启动电路,采用一个极简的稳压电路代替带隙基准电路和带隙基准电路启动电路和内部电源产生电路,大大节省了面积,同时降低了设计难度,没有无法启动使带隙基准工作在简并点的风险,极大提高了电路的可靠性,可以很好的应用于对面积要求高的电路。所述电路包括:偏置电流产生模块,用于设置不同比例镜像给其它模块(其它模块指芯片上的其它模块,芯片上还有很多别的模块电路需要电流偏置,都可以从本发明电路来产生)使用;运放跟随器和偏置电压产生模块,用于提供给其它模块(其它模块指芯片上的其它模块,芯片上还有很多别的模块电路需要电压偏置,都可以从本发明电路来产生)做偏置;极简稳压模块,用于产生内部电源电压VDD;内部电源电压给运放跟随器和偏置电压产生模块供电、偏置电流产生电路供电。

作为本发明的一种改进,所述极简稳压模块包括:

启动支路,启动支路包括电阻R1、二极管D1、二极管D2、稳压管Zener1;

分压支路,分压支路包括PMOS管P7、三极管D3、三极管D4、三极管D5、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、三极管D6及三极管D7;

还包括NMOS管N6、PMOS管P8;

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