[发明专利]一种集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：

衬底；

层间介质层，形成于所述衬底上，所述层间介质层中形成有开口；

扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；

导电结构，填充于所述开口中，且所述导电结构的顶面高度低于所述扩散阻挡层的侧壁的顶面高度；以及，

刻蚀停止层，覆盖所述层间介质层的顶面、所述导电结构的顶面、所述扩散阻挡层的顶面和所述扩散阻挡层的部分侧壁。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的侧壁与所述导电结构的高度差大于30埃。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述刻蚀停止层为氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、或其组合的一种或多种材料。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述导电结构的材质为铜，所述扩散阻挡层的材质为氮化钽或钽。

5.一种集成电路结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有开口；

形成有扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；

形成导电材料层，所述导电材料层填满所述开口并覆盖所述扩散阻挡层的侧壁和底壁，还覆盖所述层间介质层上的顶面；

采用化学机械研磨工艺去除所述层间介质层上的导电材料层以形成导电结构，其中，所述化学机械研磨工艺进行过研磨去除所述开口内预定高度的导电材料层，以暴露出所述扩散阻挡层的部分侧壁；

形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述层间介质层的顶面、所述导电结构的顶面、所述扩散阻挡层的顶面和所述扩散阻挡层的部分侧壁。

6.如权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的侧壁与所述导电结构的高度差大于30埃。

7.如权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述过研磨过程中，所述扩散阻挡层与所述导电材料层的研磨选择比不同。

8.如权利要求7所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述过研磨过程中，所述扩散阻挡层的研磨速率小于所述导电材料层的研磨速率。

9.如权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，所述导电结构的材质为铜，所述扩散阻挡层的材质为氮化钽或钽。

10.如权利要求5所述的集成电路结构的形成方法，其特征在于，采用电镀工艺形成所述导电材料层。