[发明专利]一种二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体，其特征在于：所述的二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体的化学式为(NH₃CH₂CH₂CH₂NH₂CH₃)(Cs)Pb₂Br₇，属于三斜晶系，空间群为P1，晶胞参数为：α＝96.815(18)°，β＝95.416(16)°，γ＝90.271(19)°，Z＝2。

2.根据权利要求1所述的二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

称取氮甲基-1,3-丙二胺、碳酸铯、氧化铅并置于烧杯中，再向烧杯中加入HBr水溶液，加热到126-130℃并搅拌直至得到黄色澄清溶液；

然后将得到的黄色澄清溶液密封，放入温度为55℃～60℃的烘箱中，待溶液温度达到55℃～60℃之后，以0.8～1℃/天的速率冷却至室温，即得到所述的有机-无机杂化钙钛矿半导体；

所述的氮甲基-1,3-丙二胺、碳酸铯、氧化铅的摩尔比为(2～4)：(1～2)：(4～8)；

所述的氧化铅与HBr水溶液中的HBr的摩尔比为1：(6～10)。

3.根据权利要求2所述的二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体晶体的制备方法，其特征在于：所述的HBr水溶液中HBr的质量分数为47～48％。

4.根据权利要求1所述的一种二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体的用途，其特征在于：所述的二维双层有机-无机杂化钙钛矿半导体用于制备光电导探测器。