[发明专利]一种TaNbTi基难熔中熵非晶合金涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 202210569722.3 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114959584A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王亚强;李星;张金钰;吴凯;刘刚;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/02;C22C30/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tanbti 基难熔中熵非晶 合金 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种TaNbTi基难熔中熵合金涂层，其特征在于，该难熔中熵合金涂层为TaNbTiCr或TaNbTiAl，微观结构为无序非晶组织。
2.根据权利要求1所述的一种TaNbTi基难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述TaNbTiCr及TaNbTiAl的元素原子百分数之比为1:1:1:1。
3.根据权利要求1所述的一种TaNbTi基难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述难熔中熵合金涂层的截面断口呈韧窝状花纹形貌。
4.根据权利要求1所述的一种TaNbTi基难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述难熔中熵合金涂层的厚度为2.3～3.3μm。
5.根据权利要求1所述的一种TaNbTi基难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述TaNbTiCr难熔中熵合金涂层的纳米压痕硬度为8.4～9.0GPa，模量为120.0～130.0GPa；
所述TaNbTiAl难熔中熵合金涂层的纳米压痕硬度为8.0～8.5GPa，模量为110.0～120.0GPa。
6.根据权利要求1所述的一种TaNbTi基难熔中熵合金涂层，其特征在于，所述TaNbTiCr难熔中熵合金涂层的表面粗糙度为Ra：0.75nm；
所述TaNbTiAl难熔中熵合金涂层的表面粗糙度为Ra：0.20nm。
7.一种权利要求1-6任一项所述的TaNbTi基难熔中熵非晶合金涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用磁控溅射共溅射的方法在基体上沉积制备TaNbTi基难熔中熵合金涂层，然后冷却到室温得到TaNbTi基难熔中熵合金涂层；
所述磁控溅射共溅射的方法如下：
采用TaNbTi合金靶，以及一个Cr靶或一个Al靶进行共溅射，沉积气压0.3～0.5Pa，沉积温度为室温，基盘转速一般为15r/min；
所述TaNbTi合金靶的直流功率为90～120W，Cr靶的射频电源功率为40～60W，所述Al靶纯度99.99wt.％，射频电源功率为110～130W。
8.根据权利要求7所述的TaNbTi基难熔中熵非晶合金涂层的制备方法，其特征在于，在磁控溅射共溅射前，对基体进行清洗和真空刻蚀。
9.根据权利要求7所述的TaNbTi基难熔中熵非晶合金涂层的制备方法，其特征在于，所述TaNbTi合金靶的原子比为：Ta:Nb:Ti＝30.8:32.5:36.7at.％。
10.根据权利要求7所述的TaNbTi基难熔中熵非晶合金涂层的制备方法，其特征在于，采用两个TaNbTi合金靶共溅射制备TaNbTi基难熔中熵合金涂层。
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