[发明专利]一种用于GaN功率管半桥驱动的高抗扰电路

权利要求书

1.一种用于GaN功率管半桥驱动的高抗扰电路，设有高侧驱动电路和高侧GaN功率管MH以及低侧驱动电路和低侧GaN功率管ML；

其特征在于：分别在高/低侧驱动电路与高/低侧GaN功率管MH/ML之间设置高/低侧高抗扰电路，高/低侧高抗扰电路分别连接于桥臂电路中的高/低侧GaN功率管MH/ML的栅极与源极之间；

高侧高抗扰电路内设有高侧串扰抑制辅助回路，高侧串扰抑制辅助回路包括正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路；正向串扰电压尖峰吸收电路包括电阻R1_H、PNP三极管T1_H、电容C1_H和二极管D2_H，电阻R1_H的一端连接高侧驱动电路的输出端和PNP三极管T1_H的基极，电阻R1_H的另一端连接PNP三极管T1_H的发射极，PNP三极管T1_H的集电极连接电容C1_H的一端，电容C1_H的另一端连接二极管D2_H的正极，二极管D2_H的负极连接高侧驱动电源VDD_H的负极和高侧参考地浮动电压VS；负向串扰电压尖峰吸收电路包括二极管D1_H、NPN三极管T2_H、电阻R2_H以及与正向串扰电压尖峰吸收电路共用的电容C1_H；二极管D1_H的负极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_H的发射极与电阻R1_H的连接点和高侧GaN功率管MH的栅极，二极管D1_H的正极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_H的集电极与电容C1_H的连接点，NPN三极管T2_H的发射极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中电容C1_H与二极管D2_H正极的连接点，NPN三极管T2_H的基极连接电阻R2_H的一端，电阻R2_H的另一端和NPN三极管T2_H的集电极均连接高侧参考地浮动电压VS；

低侧高抗扰电路内设有低侧串扰抑制辅助回路，低侧串扰抑制辅助回路与高侧串扰抑制辅助回路的结构相同，包括正向串扰电压尖峰吸收电路和负向串扰电压尖峰吸收电路；正向串扰电压尖峰吸收电路包括电阻R1_L、PNP三极管T1_L、电容C1_L和二极管D2_L，电阻R1_L的一端连接低侧驱动电路的输出端和PNP三极管T1_L的基极，电阻R1_L的另一端连接PNP三极管T1_L的发射极，PNP三极管T1_L的集电极连接电容C1_L的一端，电容C1_L的另一端连接二极管D2_L的正极，二极管D2_L的负极连接低侧参考地GND；负向串扰电压尖峰吸收电路包括电阻R2_L、二极管D1_L、NPN三极管T2_L以及和正向串扰电压尖峰吸收电路共用的电容C1_L；二极管D1_L的负极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_L的发射极与电阻R1_L的连接点和低侧GaN功率管ML的栅极，二极管D1_L的正极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中PNP三极管T1_L的集电极与电容C1_L的连接点，NPN三极管T2_L的发射极连接正向串扰电压尖峰吸收电路中电容C1_L与二极管D2_L正极的连接点，NPN三极管T2_L的基极连接电阻R2_L的一端，电阻R2_L的另一端和NPN三极管T2_L的集电极均连接低侧参考地GND。